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场效应MOS管HUF76121S3S参数

PD最大耗散功率:75WID最大漏源电流:47AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.021ΩVRDS(ON)ld通态电流:47AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUF76121S3S是一种高效能的MOSFET(场效应晶体管),在多个领域有广泛的应用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:HUF76121S3S常用于电源转换和调节,特别是在DC-DC转换器和AC-DC电源中。它能提供高效的电能转换,减少能量损耗,提高系统的整体效率。

    2. 电动汽车:在电动汽车中,HUF76121S3S用于电池管理系统(BMS)和电动驱动系统。其高效的电流处理能力和低导通电阻使其能够更好地管理电池的充放电过程,延长电池寿命。

    3. 工业自动化:HUF76121S3S广泛应用于工业自动化设备中,如电机驱动器和控制系统。其高耐压和高电流能力使其适用于各种工业环境,提高设备的可靠性和稳定性。

    4. 消费电子:在智能手机、平板电脑和笔记本电脑等消费电子产品中,HUF76121S3S被用于电源管理电路,帮助设备实现更长的电池续航时间和更稳定的性能表现。

    5. 再生能源系统:在太阳能和风能等再生能源系统中,HUF76121S3S被用于逆变器和充电控制器。其高效能和高可靠性使其能够在这些应用中提供稳定的性能,最大限度地利用再生能源。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):HUF76121S3S的典型导通电阻非常低,仅为几毫欧姆,这意味着在导通状态下,其功率损耗极低,能效非常高。

    - 高击穿电压:HUF76121S3S具备高达100V的击穿电压,这使其能够在高电压应用场景中安全可靠地工作,避免因电压波动导致的损坏。

    - 高电流处理能力:HUF76121S3S能够处理高达30A的电流,这使其适用于需要高电流的应用,如电机驱动和电池管理系统。

    - 快速切换速度:HUF76121S3S具备极快的开关速度,能够在纳秒级别内完成开关操作,这对于高频开关电源和数字电路来说非常重要,有助于提高系统的整体性能。

    - 热管理性能优越:HUF76121S3S采用先进的封装技术,具有良好的热管理性能,能够在高功率应用中有效散热,保证器件的长时间稳定工作。

    综上所述,HUF76121S3S作为一款高性能的MOSFET,在电源管理、电动汽车、工业自动化、消费电子和再生能源等多个领域展示出了广泛的应用潜力和卓越的性能表现。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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