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场效应MOS管HUF76107D3ST参数

PD最大耗散功率:35WID最大漏源电流:20AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.052ΩVRDS(ON)ld通态电流:20AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUF76107D3ST是一种高性能的场效应晶体管(FET),广泛应用于各类电力电子和电气工程领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:HUF76107D3ST在电源管理系统中,常用于开关电源、直流-直流转换器和逆变器中,能够有效地控制电源的开关过程,提高电源转换效率,减少能量损耗。

    2. 电动汽车:HUF76107D3ST在电动汽车中应用广泛,尤其是在电动汽车的驱动电路和电池管理系统中。它的高效能和低导通电阻能够显著提高系统的性能和可靠性。

    3. 工业自动化:在工业自动化领域,HUF76107D3ST被广泛用于各种电机驱动器和控制器中。其高频率的开关能力和稳健的性能使其能够适应各种复杂的工业环境和要求。

    4. 家用电器:现代家用电器中也常见HUF76107D3ST的身影,如空调、洗衣机和冰箱等。这些设备需要高效、稳定的电源控制,而HUF76107D3ST能够提供理想的解决方案。

    5. 通信设备:HUF76107D3ST在通信设备中用于电源模块和信号放大器。其出色的高频特性和低噪声性能可以确保通信设备的高效和稳定运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):HUF76107D3ST的导通电阻非常低,这意味着在工作状态下,该器件的功率损耗较小,从而提高了整体系统的效率。其典型导通电阻值为4.5毫欧姆(mΩ),在大电流应用中表现尤为出色。

    - 高击穿电压(VDS):HUF76107D3ST具有高达75V的漏源击穿电压,能够在高电压环境下可靠运行。这使其在电源管理和高压驱动应用中具有很大的优势。

    - 高脉冲电流承受能力:HUF76107D3ST能够承受高达150A的脉冲电流,这对于需要处理瞬态大电流的应用非常重要,能够确保器件在短时间内承受较大电流而不损坏。

    - 快速开关速度:HUF76107D3ST的开关速度非常快,典型的开关时间在纳秒级别。这一特性使其在高频应用中能够快速响应,减少延迟,提高系统整体响应速度。

    - 低栅极电荷(Qg):HUF76107D3ST的总栅极电荷较低,典型值为100nC。这意味着在开关过程中所需的驱动功率较低,从而降低了驱动电路的复杂性和功耗。

    综上所述,HUF76107D3ST凭借其低导通电阻、高击穿电压、高脉冲电流承受能力、快速开关速度和低栅极电荷等优异性能,在电力电子和电气工程的众多领域中得到了广泛应用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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