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场效应MOS管HUF76013D3ST参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:20AV(BR)DSS漏源击穿电压:20VRDS(ON)Ω内阻:0.022ΩVRDS(ON)ld通态电流:20AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUF76013D3ST是一款高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备和系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在开关电源和直流-直流转换器中,HUF76013D3ST经常用于高效能量传输和转换。其低导通电阻和快速开关特性使其成为这些系统的理想选择,能够有效减少能量损耗,提高整体系统效率。

    2. 电动汽车:电动汽车对功率半导体器件有着严格的要求,HUF76013D3ST在电动汽车的驱动系统和电池管理系统中起到了关键作用。其高耐压特性和大电流处理能力使其能够在高功率和高效率的条件下运行,满足电动汽车的性能需求。

    3. 工业自动化:在工业自动化设备中,HUF76013D3ST被广泛应用于电机控制和工业电源模块中。其高开关速度和高可靠性保证了系统的稳定性和长寿命,能够适应苛刻的工业环境。

    4. 通信设备:通信设备需要高效率和高稳定性的电源管理,HUF76013D3ST在基站和其他通信基础设施中的应用极为广泛。其出色的电气性能确保了通信设备在各种工作条件下的可靠运行。

    5. 消费电子产品:HUF76013D3ST也被应用于高端消费电子产品,如笔记本电脑、智能手机和游戏机等。这些设备要求高效率的电源管理和快速的响应时间,HUF76013D3ST能够满足这些需求,提供卓越的性能表现。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:HUF76013D3ST具有极低的导通电阻(RDS(on)),通常在几毫欧姆范围内。这一特点使其在导通状态下的能量损耗非常低,有效提高了整体系统的效率。

    - 高耐压能力:HUF76013D3ST的耐压能力高达100V,这使其能够在高压应用场景中可靠运行,适应各种复杂的工作环境。

    - 大电流处理能力:HUF76013D3ST能够处理高达几十安培的电流,这使其非常适合需要大电流传输的应用,如电动汽车和工业电机控制。

    - 快速开关速度:HUF76013D3ST具有快速的开关速度,开关时间通常在纳秒级别。这一特点在高频开关电源和高效直流-直流转换器中尤为重要,能够显著减少开关损耗,提高系统效率。

    - 封装形式:HUF76013D3ST采用TO-220封装,具有良好的散热性能和机械稳定性。这种封装形式不仅便于安装和替换,还能够有效散热,确保器件在高功率条件下的稳定运行。

    综上所述,HUF76013D3ST以其低导通电阻、高耐压、大电流处理能力、快速开关速度和优良的封装形式,成为电力电子领域中不可或缺的重要元器件,被广泛应用于各种高效能和高性能的电力电子设备和系统中。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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