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场效应MOS管HUF75925D3ST参数

PD最大耗散功率:100WID最大漏源电流:11AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.275ΩVRDS(ON)ld通态电流:11AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUF75925D3ST是一款高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于多种电力和电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:HUF75925D3ST常用于高效能的转换和调节电压,能够在高频工作时提供稳定的性能,减少能量损耗。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,HUF75925D3ST能够处理高电流和高电压,使其成为电机控制系统的理想选择,提供平稳和精确的控制。

    3. 太阳能逆变器:由于其高效能和可靠性,HUF75925D3ST适用于太阳能逆变器,帮助将直流电转换为交流电,从而最大化太阳能电池的输出。

    4. 汽车电子:在汽车电子领域,HUF75925D3ST用于各种控制模块,如电池管理系统和电子助力转向系统,提升车辆的整体性能和可靠性。

    5. 工业自动化:在工业自动化设备中,HUF75925D3ST用于驱动和控制大型设备和机器人,提高生产效率和自动化水平。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:HUF75925D3ST具有极低的导通电阻(RDS(on)),仅为2.8mΩ。这意味着在工作过程中产生的功耗较低,有助于提高系统效率和减少热量产生。

    - 高电流处理能力:HUF75925D3ST设计能够承受高达80A的连续漏极电流,使其在高负荷应用中表现出色,适用于需要大电流传输的场景。

    - 高击穿电压:该器件的漏源击穿电压(VDS)高达150V,确保其在高电压环境下的稳定性和可靠性,适用于需要高电压处理的应用。

    - 快速开关速度:HUF75925D3ST的开关速度非常快,这有助于在高频应用中减少开关损耗,提高整体系统效率。其开关速度特点使其特别适合于高频开关电源和DC-DC转换器。

    - 热特性良好:HUF75925D3ST具有优异的热特性,最大结温高达175°C,配合良好的热阻设计,使其在高温环境下仍能稳定运行,延长器件寿命。

    通过这些详细的应用场景和参数特点分析,可以看出HUF75925D3ST是一款性能优越、应用广泛的N沟道功率MOSFET,能够在多种高要求的电子和电力应用中提供可靠的性能和高效的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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