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场效应MOS管HUF75842S3ST参数

PD最大耗散功率:230WID最大漏源电流:43AV(BR)DSS漏源击穿电压:150VRDS(ON)Ω内阻:0.042ΩVRDS(ON)ld通态电流:43AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUF75842S3ST是一种常用于电力电子设备中的N沟道功率MOSFET,因其优越的性能和多种应用场景而备受青睐。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:HUF75842S3ST常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电池管理系统。这些应用需要高效的开关元件以实现能量转换和管理,HUF75842S3ST的低导通电阻和高开关速度使其成为理想选择。

    2. 电机控制:在工业和消费类设备中,电机控制电路需要可靠的MOSFET来进行精确的电流和电压调节。HUF75842S3ST的高电流处理能力和耐用性使其适用于电动工具、风扇和其他电机驱动应用。

    3. 汽车电子:现代汽车电子系统中,如电动助力转向系统(EPS)、电动窗、座椅控制等,都需要高效的功率元件。HUF75842S3ST在这些系统中能够提供可靠的功率控制和转换。

    4. 可再生能源系统:在太阳能逆变器和风能转换系统中,HUF75842S3ST作为关键元件,能有效处理高电压和高功率的转换需求,确保系统的高效和稳定运行。

    5. 消费电子产品:在笔记本电脑、智能手机等消费电子产品中,HUF75842S3ST常被用作电源管理和保护元件,保障设备的电力供应稳定,延长电池寿命。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on))低:HUF75842S3ST的典型导通电阻为5.8 mΩ,这意味着它在导通状态下的电能损耗非常低,提高了系统的整体效率。

    - 高电流处理能力:HUF75842S3ST的最大连续漏极电流(ID)为75A,使其能够处理较大的电流,适用于高功率应用场景。

    - 高击穿电压:该型号的漏源击穿电压(VDS)为80V,保证了在高电压应用中的可靠性和安全性。

    - 快速开关速度:HUF75842S3ST具有快速的开关特性,其典型的总栅极电荷(Qg)为120 nC,使其能够在高频率操作中表现出色,减少开关损耗。

    - 热性能优越:HUF75842S3ST的结温范围广(-55°C至175°C),并且具有良好的热阻(RθJC为0.8°C/W),确保在高温环境中的稳定运行。

    综上所述,HUF75842S3ST凭借其低导通电阻、高电流处理能力、高击穿电压、快速开关速度和优越的热性能,在电源管理、电机控制、汽车电子、可再生能源系统和消费电子产品等众多领域中发挥着重要作用。其出色的参数特点使其在各种高效能和高可靠性要求的应用中成为不可或缺的关键元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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