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场效应MOS管HUF75829D3S参数

PD最大耗散功率:110WID最大漏源电流:18AV(BR)DSS漏源击穿电压:150VRDS(ON)Ω内阻:0.11ΩVRDS(ON)ld通态电流:18AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUF75829D3S是一种高性能的N沟道功率MOSFET,其广泛应用于电源管理、逆变器、马达驱动等领域。其参数特点和应用场景如下:

    一、应用场景:

    1. 电源管理:HUF75829D3S在电源管理系统中有着重要的应用。由于其低导通电阻和高电流处理能力,适用于高效率的DC-DC转换器和AC-DC电源中。它能够有效降低能量损耗,提升整体系统的效率,是设计高效电源的理想选择。

    2. 逆变器:在逆变器中,HUF75829D3S作为开关元件,能够实现直流电到交流电的高效转换。其快速开关特性和低漏电流使其能够在高频率的操作中表现出色,广泛应用于太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统中。

    3. 马达驱动:HUF75829D3S在马达驱动应用中表现出色,特别是在需要高频率PWM控制的直流无刷马达(BLDC)中。其高峰值电流能力和耐用性确保了马达的平稳运行和长寿命,适用于电动汽车和工业自动化设备中。

    4. 消费电子:在消费电子设备中,HUF75829D3S因其小封装和高效能,被用于笔记本电脑、智能手机等设备的电源管理模块。其低导通电阻和高开关速度帮助提高设备的电池寿命和性能。

    5. 工业控制:工业控制系统需要高可靠性的元件,HUF75829D3S正是这样的选择。它在高温高压的环境下依然能稳定运行,广泛用于PLC、DCS等工业自动化系统中。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:HUF75829D3S的典型导通电阻为2.0毫欧(Vgs=10V),这意味着在导通状态下其能量损耗非常低,有助于提高系统效率和减少热量产生。

    - 高电流处理能力:HUF75829D3S能够处理高达75安培的连续电流(Tc=25°C),峰值脉冲电流更是可达300安培。这使其在大电流应用中表现出色,如电机驱动和电源转换器中。

    - 快速开关速度:该型号的MOSFET具有极快的开关速度,典型的开关时间为20纳秒(ns),使其能够在高频率的应用中如逆变器和开关电源中高效工作。

    - 耐高压:HUF75829D3S的击穿电压(Vdss)为75伏,这使其能够在较高电压的应用中运行,如电源管理和工业控制系统中。同时,它的耐压能力保证了在恶劣环境下的可靠性和稳定性。

    - 低栅极电荷:HUF75829D3S的典型栅极电荷(Qg)为180纳库伦(nC),较低的栅极电荷有助于降低驱动损耗,提高整体系统的效率。这在需要频繁开关的应用中尤为重要,如开关电源和高频逆变器中。

    综上所述,HUF75829D3S凭借其优异的性能和多样的应用场景,成为各类电子系统中不可或缺的重要元件。其低导通电阻、高电流处理能力、快速开关速度、耐高压和低栅极电荷的特点,使其在电源管理、逆变器、马达驱动、消费电子和工业控制等领域中展现了卓越的性能。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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