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场效应MOS管HUF75823D3S参数

PD最大耗散功率:85WID最大漏源电流:14AV(BR)DSS漏源击穿电压:150VRDS(ON)Ω内阻:0.15ΩVRDS(ON)ld通态电流:14AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUF75823D3S是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在现代电源管理系统中,HUF75823D3S被广泛用于DC-DC转换器和电池管理系统中。其低导通电阻和高效率的特点使其非常适合用于提升电源转换效率,减少能量损耗。

    2. 电机控制:HUF75823D3S适用于电机驱动电路,特别是在工业自动化和机器人领域。它的高电流承载能力和快速开关速度能够有效地控制电机的启动和停止,确保电机运行的稳定性和精确性。

    3. 消费电子:在智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备中,HUF75823D3S用于处理电源分配和电池充电管理。这种MOSFET可以帮助设备实现更长的电池寿命和更高的工作效率。

    4. 汽车电子:在汽车电子系统中,HUF75823D3S用于控制电源分配和保护电路。其高耐压和耐高温的特点使其能够在汽车的苛刻环境中稳定工作,确保汽车电子系统的安全和可靠。

    5. 太阳能和风能系统:在可再生能源系统中,HUF75823D3S用于逆变器和电源控制模块。这些系统要求高效率和高可靠性,而HUF75823D3S的优异性能正好满足了这些需求。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):HUF75823D3S的导通电阻极低,通常在10毫欧以下,这有助于降低电路的功耗,提高效率。

    - 高电流承载能力:该型号的最大连续漏极电流(ID)高达75A,使其能够处理高电流应用,如电机控制和电源管理。

    - 高击穿电压(VDS):HUF75823D3S的漏源击穿电压高达80V,能够在较高电压条件下稳定工作,适用于高压应用场景。

    - 快速开关速度:HUF75823D3S具有较快的开关速度,这对于要求快速响应的电源和电机控制应用非常重要。其典型的开关时间在纳秒级别,能够有效减少开关损耗。

    - 高结温(TJ):HUF75823D3S的最高结温可达175摄氏度,这使其在高温环境下仍能保持稳定的性能,非常适合汽车电子和工业应用。

    综上所述,HUF75823D3S凭借其低导通电阻、高电流承载能力、高击穿电压、快速开关速度和高结温等优异参数特点,成为各种应用场景中的理想选择。无论是在电源管理、电机控制、消费电子还是汽车电子和可再生能源系统中,HUF75823D3S都能提供卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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