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场效应MOS管HUF75645S3ST参数

PD最大耗散功率:310WID最大漏源电流:75AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.0142ΩVRDS(ON)ld通态电流:75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUF75645S3ST是一款N沟道MOSFET,广泛应用于多种电子和电气设备中,尤其在电源管理、电机控制和高效能开关电路等领域表现突出。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在电源管理系统中,HUF75645S3ST常用于DC-DC转换器和AC-DC电源中,帮助实现高效的电能转换和稳压功能。它的低导通电阻和高耐压特性使其在高效能电源设计中占据重要位置,能有效减少能量损耗,提高系统整体效率。

    2. 电机控制:在电机控制应用中,HUF75645S3ST通常用作电机驱动器的开关元件。由于其高电流承载能力和快速开关特性,能提供稳定的电流输出,确保电机运行平稳。同时,它的高耐压特性也使其能在各种复杂工况下正常工作。

    3. 汽车电子:HUF75645S3ST在汽车电子领域也有广泛应用,特别是在电动汽车和混合动力汽车中。它可用于电池管理系统、车载充电器和逆变器中,提供高效的电能管理和转换,帮助提升车辆的整体能效。

    4. 工业自动化:在工业自动化系统中,HUF75645S3ST用作控制器和驱动器中的核心元件。其高可靠性和耐用性使其能够在各种严苛的工业环境中稳定运行,确保设备的高效运行和长使用寿命。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:HUF75645S3ST具有极低的导通电阻,通常在几毫欧范围内。这一特点有效减少了开关损耗和导通损耗,提高了系统的整体效率。

    - 高耐压能力:HUF75645S3ST的漏源极电压(Vds)可达75V,这使得它能够在高压环境下正常工作,适用于多种高压应用场景。

    - 高电流承载能力:该型号的最大连续漏极电流(Id)高达120A,能够处理大电流负载,适用于需要高电流驱动的应用场景,如电机驱动和电源管理。

    - 快速开关特性:HUF75645S3ST具备快速的开关速度,这对于需要高频率开关操作的应用非常重要。它的栅极电荷(Qg)较低,有助于实现快速响应和高效开关。

    - 热性能优异:HUF75645S3ST设计有良好的热管理特性,具有较低的热阻(Rth),这有助于在高功率应用中有效散热,保持器件的稳定运行。

    通过以上对HUF75645S3ST的应用场景和参数特点的详细介绍,可以看出这款MOSFET在多种电子和电气系统中具有广泛的应用前景和优异的性能表现,是现代高效能电子设计中的重要元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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