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场效应MOS管HUF75639S3ST参数

PD最大耗散功率:220WID最大漏源电流:56AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.025ΩVRDS(ON)ld通态电流:56AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUF75639S3ST 是一种常用于电力电子设备的N沟道功率MOSFET。它在许多不同的应用场景中表现出色,具体应用场景包括:

    一、应用场景:

    1. 电源管理:在开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中,HUF75639S3ST常用于高效能电源转换和管理。其低导通电阻使其能够在高电流条件下运行,并减少能量损耗,从而提高整体系统效率。

    2. 电动汽车:随着电动汽车的普及,HUF75639S3ST在电动汽车的电池管理系统和驱动电路中得到广泛应用。它能有效管理电池的充电和放电过程,并且在电动机的驱动电路中提供可靠的高功率处理能力。

    3. 可再生能源系统:在太阳能和风能系统中,HUF75639S3ST被用于逆变器和充电控制器中,帮助将可再生能源转换为可用的电能,同时保持系统的高效率和可靠性。

    4. 消费电子:在笔记本电脑、平板电脑等消费电子产品中,HUF75639S3ST被用于电源管理和电池保护电路中。其高开关速度和低功耗特点,使其能够有效延长电池寿命并提升设备性能。

    5. 工业控制:在工业自动化和控制系统中,HUF75639S3ST被用于电机驱动和电源管理模块中。它的高电流处理能力和耐高压特点,确保了在复杂工业环境中的可靠运行。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):HUF75639S3ST的导通电阻非常低,典型值为8mΩ,这使其在高电流应用中能够有效减少功率损耗,提高效率。

    - 耐压能力(VDS):它的漏源电压耐受能力为75V,使其适合在中高压应用中使用,确保在各种电力电子应用中的稳定性和可靠性。

    - 电流处理能力:HUF75639S3ST的最大连续漏极电流为80A,脉冲漏极电流可达320A,显示出其在处理大电流应用中的强大能力。

    - 开关速度:该型号的开关速度非常快,其总门电荷(Qg)为67nC,栅极电荷的迅速转移使其能够在高频应用中表现出色,减少开关损耗。

    - 封装形式:HUF75639S3ST采用TO-220封装,这种封装形式具有良好的散热性能和机械强度,适合各种需要高可靠性的应用场合。

    综上所述,HUF75639S3ST以其低导通电阻、高耐压、强大的电流处理能力、快速的开关速度和优良的封装形式,在各种电力电子应用中表现出色,满足了从消费电子到工业控制等多领域的需求。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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