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场效应MOS管HUF75617D3ST参数

PD最大耗散功率:64WID最大漏源电流:16AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.09ΩVRDS(ON)ld通态电流:16AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUF75617D3ST是一种高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种需要高效率和高可靠性的电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:HUF75617D3ST在开关电源(SMPS)和直流-直流转换器中,可以用于提升效率和减少功耗。它的低导通电阻和快速开关特性,使得其在高频率的电源转换过程中表现优越。

    2. 电动工具和工业设备:由于HUF75617D3ST具备高耐压和大电流处理能力,它常被用于电动工具和工业控制系统中,确保设备在高负载下依然能够稳定运行。

    3. 汽车电子:在汽车电子系统中,HUF75617D3ST可用于电动汽车的电池管理系统、车载充电器和电动转向系统中,提供可靠的功率控制和能效管理。

    4. 消费电子产品:如智能手机、笔记本电脑和其他便携式设备中,HUF75617D3ST的低功耗特性帮助延长电池寿命并提升设备性能。

    5. 太阳能逆变器:在可再生能源系统中,HUF75617D3ST用于太阳能逆变器和储能系统中,提高能源转换效率和系统稳定性。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:HUF75617D3ST具有非常低的导通电阻(R_DS(on)),在V_GS为10V时仅为0.012欧姆。这一特性使其在大电流传输时能够减少功耗,提升整体系统效率。

    - 高耐压能力:HUF75617D3ST的漏源极电压(V_DSS)高达75V,能够在高电压环境中稳定工作,适用于各种高压应用场景。

    - 大电流处理能力:HUF75617D3ST最大连续漏极电流(I_D)可达75A,使其在高电流需求的应用中表现出色,如电动汽车的驱动系统和工业电机控制。

    - 快速开关特性:HUF75617D3ST的开关速度快,具有低栅极电荷(Q_g)和低反向恢复电荷(Q_rr),这使其在高频率操作下具有极高的效率和稳定性,适用于高频开关电源和DC-DC转换器。

    - 热性能优越:HUF75617D3ST的热阻(R_θJC)仅为1.2°C/W,能够有效散热,保证在高功率工作时的稳定性和安全性。这一特性在需要长时间高负载运行的设备中尤为重要。

    综上所述,HUF75617D3ST作为一款高性能的N沟道功率MOSFET,具备低导通电阻、高耐压、大电流处理能力、快速开关和优越的热性能,广泛应用于电源管理、工业设备、汽车电子、消费电子和可再生能源系统中。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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