收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管HUF75339S3S参数

场效应MOS管HUF75339S3S参数

PD最大耗散功率:200WID最大漏源电流:75AV(BR)DSS漏源击穿电压:55VRDS(ON)Ω内阻:0.012ΩVRDS(ON)ld通态电流:75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

立即咨询


    HUF75339S3S是一款常见的功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和系统中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面:

    一、应用场景:

    1. 电源管理:HUF75339S3S在开关电源和电压调节器中扮演关键角色,能够高效地控制电流和电压,为各种电子设备提供稳定的电源供应。

    2. 电机驱动:在电机控制系统中,HUF75339S3S常用于控制电机的启动、停止和速度调节,特别是在工业自动化和家电中,有助于提高电机的效率和寿命。

    3. 电池管理系统(BMS):在电动汽车和可再生能源系统中,HUF75339S3S用于电池组的充放电控制,确保电池在安全和高效的条件下运行,延长电池使用寿命。

    4. 逆变器和变频器:HUF75339S3S在逆变器和变频器中发挥重要作用,能够有效转换电能形式,广泛应用于太阳能发电系统和电动工具中。

    5. 音频放大器:在音频设备中,HUF75339S3S用于音频信号的放大,提供高保真的音频输出,适用于高品质音响系统和专业音频设备。

    二、参数特点:

    - 额定电压和电流:HUF75339S3S的额定漏源电压(Vds)为75V,最大连续漏电流(Id)为75A,能够满足大功率应用的需求,适用于高电流、高电压的应用场景。

    - 低导通电阻:该型号的导通电阻(Rds(on))非常低,仅为8.0毫欧姆,这意味着在工作时的能量损耗较小,提高了整体系统的效率和可靠性。

    - 高开关速度:HUF75339S3S具有快速的开关速度,其典型开关时间为10纳秒,能够高效地进行频繁的开关操作,非常适合高频率的电源转换和信号调制应用。

    - 热特性:该MOSFET具有优异的热管理特性,最大结温(Tj)可达175摄氏度,能够在高温环境下稳定工作,并且其封装形式有利于散热,有效降低了器件的热损耗。

    - 栅极驱动电压:HUF75339S3S的栅极驱动电压范围较宽,一般为10V,能够兼容多种控制电路,适用于不同的驱动需求,增强了设计的灵活性。

    通过以上详细的描述,HUF75339S3S在不同应用场景中展现出其卓越的性能和广泛的适用性,是一款值得信赖的功率MOSFET元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号