PD最大耗散功率:200WID最大漏源电流:75AV(BR)DSS漏源击穿电压:55VRDS(ON)Ω内阻:0.012ΩVRDS(ON)ld通态电流:75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
立即咨询一、应用场景:
1. 电源管理:HUF75339S3S在开关电源和电压调节器中扮演关键角色,能够高效地控制电流和电压,为各种电子设备提供稳定的电源供应。
2. 电机驱动:在电机控制系统中,HUF75339S3S常用于控制电机的启动、停止和速度调节,特别是在工业自动化和家电中,有助于提高电机的效率和寿命。
3. 电池管理系统(BMS):在电动汽车和可再生能源系统中,HUF75339S3S用于电池组的充放电控制,确保电池在安全和高效的条件下运行,延长电池使用寿命。
4. 逆变器和变频器:HUF75339S3S在逆变器和变频器中发挥重要作用,能够有效转换电能形式,广泛应用于太阳能发电系统和电动工具中。
5. 音频放大器:在音频设备中,HUF75339S3S用于音频信号的放大,提供高保真的音频输出,适用于高品质音响系统和专业音频设备。
二、参数特点:
- 额定电压和电流:HUF75339S3S的额定漏源电压(Vds)为75V,最大连续漏电流(Id)为75A,能够满足大功率应用的需求,适用于高电流、高电压的应用场景。
- 低导通电阻:该型号的导通电阻(Rds(on))非常低,仅为8.0毫欧姆,这意味着在工作时的能量损耗较小,提高了整体系统的效率和可靠性。
- 高开关速度:HUF75339S3S具有快速的开关速度,其典型开关时间为10纳秒,能够高效地进行频繁的开关操作,非常适合高频率的电源转换和信号调制应用。
- 热特性:该MOSFET具有优异的热管理特性,最大结温(Tj)可达175摄氏度,能够在高温环境下稳定工作,并且其封装形式有利于散热,有效降低了器件的热损耗。
- 栅极驱动电压:HUF75339S3S的栅极驱动电压范围较宽,一般为10V,能够兼容多种控制电路,适用于不同的驱动需求,增强了设计的灵活性。
通过以上详细的描述,HUF75339S3S在不同应用场景中展现出其卓越的性能和广泛的适用性,是一款值得信赖的功率MOSFET元件。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
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杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
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