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场效应MOS管HUF75333S3S参数

PD最大耗散功率:150WID最大漏源电流:66AV(BR)DSS漏源击穿电压:55VRDS(ON)Ω内阻:0.016ΩVRDS(ON)ld通态电流:66AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUF75333S3S是一款N沟道功率MOSFET,其卓越的性能使其在多种应用场景中得到了广泛应用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:HUF75333S3S常被用于开关电源和DC-DC转换器中。这些设备需要高效的开关元件来提高整体能效,而HUF75333S3S的低导通电阻和快速开关特性正好满足了这一需求。

    2. 电机控制系统:电机控制需要快速响应和高效的电流控制,而HUF75333S3S能够提供低损耗的高频切换能力,使其成为BLDC(无刷直流电机)和步进电机驱动器中的理想选择。

    3. 汽车电子:例如,在电动汽车的逆变器和电池管理系统中,HUF75333S3S凭借其高效、可靠的性能表现,能够显著提升系统的效率和稳定性。

    4. 消费电子产品:如智能手机的电池保护电路和笔记本电脑的电源管理模块,HUF75333S3S也扮演着关键角色。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:HUF75333S3S的导通电阻(RDS(on))非常低,这使得其在高电流传输时能够保持较低的功耗,从而提高整体效率。例如,其在10V栅极驱动电压下的典型RDS(on)值仅为11毫欧。

    - 高击穿电压:HUF75333S3S的漏源击穿电压(BVDSS)为75V,意味着它可以在高压环境下安全运行,不易击穿或损坏。这使其在电源管理和电机控制等高压应用中具有优势。

    - 高脉冲电流能力:HUF75333S3S能够承受高达160A的脉冲电流,这使其在需要处理高瞬时电流的应用中表现出色,例如电机启动和瞬态响应。

    - 快速开关速度:HUF75333S3S的栅极电荷(Qg)较低,开关速度快,从而减少了开关损耗。这对于高频应用,如DC-DC转换器和开关电源,是一个重要优势。

    - 热性能优越:HUF75333S3S具有较低的热阻,这意味着它在高功率操作时能够更有效地散热,从而提高系统的可靠性和使用寿命。

    综上所述,HUF75333S3S凭借其出色的参数特点,在电源管理、电机控制、汽车电子和消费电子等领域得到了广泛应用,是一款性能优异、可靠性高的N沟道功率MOSFET。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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