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场效应MOS管HUF75329D3S参数

PD最大耗散功率:128WID最大漏源电流:20AV(BR)DSS漏源击穿电压:55VRDS(ON)Ω内阻:0.026ΩVRDS(ON)ld通态电流:20AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUF75329D3S是一款性能优越的功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子和开关电源的场景。本文将详细介绍HUF75329D3S的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:HUF75329D3S在开关电源中发挥关键作用,尤其是那些需要高效率转换的场合。其低导通电阻和快速开关特性,使其能够有效减少能量损失,提高电源效率。

    2. 电动汽车:在电动汽车的电池管理系统中,HUF75329D3S用于控制电池的充放电过程。其高电流处理能力和耐高压特性,确保了系统的稳定性和安全性。

    3. 电机驱动:HUF75329D3S适用于高性能电机驱动器,尤其是在需要高频率和高效率的应用中。其快速开关能力和低损耗特点,使其成为驱动器电路的理想选择。

    4. 光伏逆变器:在光伏系统中,逆变器将直流电转换为交流电,HUF75329D3S在这一过程中起到关键作用。其高效的功率转换能力,确保了光伏系统的高效运行。

    5. 消费电子:例如笔记本电脑和智能手机的电源管理模块中,HUF75329D3S用于提高电源管理的效率,延长电池寿命并减少热量产生。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:HUF75329D3S具有极低的导通电阻(RDS(on)),这意味着在导通状态下,它能够最大限度地减少功率损耗。这一特点在高效能量转换中至关重要。

    - 高耐压性:HUF75329D3S的耐压值高达55V,使其能够在高压环境中稳定工作,适用于各种需要高压处理的应用。

    - 高电流处理能力:其最大连续漏极电流(ID)达到110A,能够处理高电流负载,适用于需要大电流的应用场合。

    - 快速开关速度:HUF75329D3S的开关速度极快,确保了其在高频应用中的优异表现。这一特点使其在电机驱动和开关电源中尤为重要。

    - 低栅极电荷:HUF75329D3S具有低栅极电荷(Qg),这意味着在切换过程中,所需的驱动能量较低,进一步提高了整体效率和响应速度。

    通过以上对HUF75329D3S的应用场景和参数特点的详细介绍,可以看出这款MOSFET在现代电力电子和开关电源领域中的重要性。其卓越的性能和多样化的应用场景,使其成为设计高效、可靠电力电子设备的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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