PD最大耗散功率:55WID最大漏源电流:19AV(BR)DSS漏源击穿电压:55VRDS(ON)Ω内阻:0.07ΩVRDS(ON)ld通态电流:19AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
立即咨询一、应用场景:
1. 电源管理:HUF75309D3ST常用于电源管理系统中,例如DC-DC转换器、开关电源和电池管理系统。由于其高效率和低导通电阻,能够显著降低功耗,提高系统效率。
2. 电动机控制:在电动机驱动应用中,HUF75309D3ST作为开关元件,能够提供高效的电流控制,从而实现电动机的平稳运行。这在工业自动化和家用电器中尤为重要。
3. 照明系统:LED驱动电路需要高效的电流控制器件,HUF75309D3ST因其快速开关特性和高耐压能力,成为LED照明驱动电路的理想选择,有助于提高照明系统的稳定性和寿命。
4. 通信设备:在通信设备中,HUF75309D3ST用于功率放大器和信号调制电路,其低损耗和高频性能确保了通信信号的高质量传输。
5. 消费电子:诸如智能手机、平板电脑等消费电子产品中,HUF75309D3ST被用作开关元件,以优化电路设计,提高能效,延长电池寿命。
二、参数特点:
- 低导通电阻(RDS(on)):HUF75309D3ST的典型导通电阻非常低,这意味着在通态下的电能损耗极小,从而提高了整体电路的效率。例如,其在10V栅极驱动电压下的导通电阻仅为4.6mΩ。
- 高耐压能力:该器件的漏源极最大耐压为75V,能够在较高电压条件下稳定工作,适用于需要高电压操作的电路。
- 大电流处理能力:HUF75309D3ST能够承受高达75A的连续漏极电流,适用于需要处理大电流的应用,如电动机控制和电源管理。
- 快速开关速度:该MOSFET具有极快的开关速度,能够在纳秒级别完成开关操作,有效减少开关损耗,提升整体系统性能。例如,其典型的总栅极电荷仅为110nC。
- 热性能优异:HUF75309D3ST具备良好的热性能,最大结温高达175°C,同时配备有低热阻的封装形式,有助于快速散热,确保在高功率应用中的可靠性。
综上所述,HUF75309D3ST凭借其低导通电阻、高耐压、大电流处理能力、快速开关速度以及优异的热性能,成为各类高性能电子设备和电路设计中的重要组件。其广泛应用于电源管理、电动机控制、照明系统、通信设备和消费电子等领域,为这些应用提供了高效、可靠的解决方案。
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