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场效应MOS管HUF75307D3ST参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:15AV(BR)DSS漏源击穿电压:55VRDS(ON)Ω内阻:0.09ΩVRDS(ON)ld通态电流:15AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUF75307D3ST是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电源管理和转换系统。它的高效能和低导通电阻使其成为许多应用的理想选择,包括:

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):在开关电源中,HUF75307D3ST可以用作主开关器件,以实现高效的能量转换。其快速开关特性和低损耗确保了电源的高效运行。

    2. 电机驱动器:该器件适用于电机控制应用,尤其是在需要高效和高频切换的情况下。HUF75307D3ST可以提供稳定和高效的电流控制,确保电机的平稳运行。

    3. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,HUF75307D3ST用于逆变器部分,可以提高整体系统的转换效率。它的低导通电阻和高电流处理能力确保了系统的可靠运行。

    4. 电池管理系统(BMS):在电池管理系统中,HUF75307D3ST用于电池充放电控制,其高效能和可靠性对于延长电池寿命至关重要。

    5. 电动汽车充电桩:该器件还可以应用于电动汽车充电桩,提供高效的充电控制和保护功能。HUF75307D3ST的高功率处理能力使其能够满足快速充电的需求。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):典型值为11毫欧,这意味着在导通状态下,该器件的功耗极低,有助于提高系统效率。

    - 高电流处理能力:最大连续漏极电流为75安培,脉冲漏极电流高达300安培,能够处理大电流应用需求。

    - 高耐压能力:漏源极耐压为75伏特,适用于需要较高电压的应用场景。

    - 快速开关速度:具有低栅极电荷和低反向恢复时间,使其在高频应用中表现出色,有助于减少开关损耗。

    - 封装形式:采用TO-247封装,具有良好的散热性能,适合高功率应用。该封装还方便安装和使用,确保了设备的可靠性和寿命。

    综上所述,HUF75307D3ST是一款高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理、电机驱动、太阳能逆变、电池管理系统和电动汽车充电桩等领域。其低导通电阻、高电流处理能力、高耐压和快速开关速度等特点,使其成为这些应用的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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