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场效应MOS管FQPF5P20RDTU参数

PD最大耗散功率:38WID最大漏源电流:-3.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:-200VRDS(ON)Ω内阻:1.4ΩVRDS(ON)ld通态电流:-1.7AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-3~-5VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    FQPF5P20RDTU是一款高性能的P沟道MOSFET,常用于电源管理和开关应用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):FQPF5P20RDTU因其低导通电阻和高效率被用作功率开关元件,能够有效减少开关损耗,提高系统效率。

    2. 直流-直流转换器:在DC-DC转换器中,FQPF5P20RDTU用于控制电压和电流的转换,确保输出稳定。

    3. 电池管理系统:在电池管理系统中,该器件帮助管理电池充放电过程,提高电池寿命和安全性。

    4. 电动工具:在各种电动工具中,FQPF5P20RDTU用作电机驱动器件,提供高效的电能转换。

    5. 汽车电子:在汽车电子系统中,该元件用于电源分配和电压调节,确保车载电子设备的稳定运行。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):FQPF5P20RDTU低至50mΩ,这意味着该器件在导通状态下具有较低的电阻,从而减少了功率损耗,提升了效率。

    - 漏源电压(VDS):最大为200V,表明该器件能够承受较高的电压,适用于高压应用场景。

    - 漏极电流(ID):最大为5A,这意味着该器件能够处理较高的电流,适用于大功率应用。

    - 栅极电荷(Qg):低至25nC,低栅极电荷确保了快速的开关速度,从而提高了系统的响应速度和效率。

    - 封装形式:FQPF5P20RDTU采用TO-220封装,提供了良好的散热性能,确保器件在高功率应用中的稳定运行。

    综上所述,FQPF5P20RDTU是一款高性能的P沟道MOSFET,因其优越的电气特性和广泛的应用范围,成为电源管理和开关应用中的理想选择。其低导通电阻、高电压承受能力和高电流处理能力,使得FQPF5P20RDTU在多种复杂应用中表现出色。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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