PD最大耗散功率:69WID最大漏源电流:18AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.265ΩVRDS(ON)ld通态电流:9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
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一、应用场景:
1. 开关电源:FQPF18N50V2在开关电源中作为开关元件使用,其高效能和低损耗特性使其非常适合这一应用场景。无论是AC-DC还是DC-DC转换器,FQPF18N50V2都能提供卓越的性能。
2. 电动工具:在电动工具中,FQPF18N50V2用于控制电机的启动和停止。这款MOSFET的高电流处理能力和耐用性使其成为这一领域的理想选择。
3. 工业控制:在工业控制系统中,FQPF18N50V2用于驱动各类工业设备的电机和其他负载。其高效能和稳定性保证了工业系统的可靠运行。
4. 照明系统:在LED照明系统中,FQPF18N50V2用于驱动LED阵列,提供稳定的电流输出,确保照明效果的稳定性和均匀性。
5. 逆变器:在太阳能和风能发电系统的逆变器中,FQPF18N50V2用于将直流电转换为交流电,其高效转换能力和可靠性使其非常适合这一应用场景。
二、参数特点:
- 高击穿电压:FQPF18N50V2具有500V的高击穿电压,适用于高压应用场景,能够承受高电压冲击,保护电路安全。
- 低导通电阻:这款MOSFET的低导通电阻(RDS(on))使其在导通状态下损耗低,提高了整体系统的效率。
- 高开关速度:FQPF18N50V2具备高开关速度,能够在极短时间内完成开关操作,适合高频率开关应用。
- 低栅极电荷:其低栅极电荷特性使驱动功率需求降低,适用于高效能的电源设计,减少驱动电路的复杂性。
- 可靠的封装:FQPF18N50V2采用TO-220封装,具有良好的散热性能,确保在高功率应用中的稳定运行。
综上所述,FQPF18N50V2是一款高性能的功率MOSFET,适用于多种应用场景。其高击穿电压、低导通电阻、高开关速度和低栅极电荷特性,使其成为工业控制、电源管理和照明系统中的理想选择。无论是在开关电源、电动工具还是在新能源发电系统中,FQPF18N50V2都能提供可靠的性能和高效的工作效率,确保设备的安全和稳定运行。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
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中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
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