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场效应MOS管FQPF18N20V2YDTU参数

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    FQPF18N20V2YDTU是一款具有高性能特性的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种需要高效能量传输和开关控制的电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中,FQPF18N20V2YDTU能够高效地控制电能的转换与传输,减少能量损耗,提升整体电源效率。

    2. 电机控制:在电机驱动和控制电路中,FQPF18N20V2YDTU常用于PWM(脉宽调制)信号的开关控制,提供精确的电流调节能力,确保电机运行的稳定性和效率。

    3. 光伏逆变器:在光伏系统中,逆变器需要将直流电转换为交流电。FQPF18N20V2YDTU由于其高压、高效能的特性,适合用于这种高功率转换的应用场景,提升系统的整体效率和可靠性。

    4. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,FQPF18N20V2YDTU用于逆变器部分的开关控制,保证在电源中断时能够快速切换到备用电源,提供稳定的电力供应。

    5. 汽车电子:现代汽车电子系统中,例如电动汽车的驱动电路和充电系统,FQPF18N20V2YDTU的高效能量传输和低导通电阻使其成为理想选择,帮助提升车辆的电能利用效率和可靠性。

    二、参数特点:

    - 高电压承受能力:该型号的最大漏源电压(VDSS)为200V,适合用于高电压环境中的开关应用。这使得它在高压电源管理和转换器中表现出色。

    - 低导通电阻:FQPF18N20V2YDTU的导通电阻(RDS(on))仅为0.18Ω,在较低的栅极电压(VGS)下即可达到低导通电阻,这有助于降低开关损耗,提高系统效率。

    - 高脉冲电流能力:该MOSFET的最大脉冲漏电流(ID(pulse))为72A,能够承受高瞬时电流冲击,适用于需要高脉冲电流的应用场景,如电机驱动和大功率转换。

    - 快速开关特性:FQPF18N20V2YDTU具有较快的开关速度,栅极电荷(Qg)和栅极电容(Ciss)较低,使其能够快速响应控制信号,适合高频开关应用,如开关电源和逆变器。

    - 热稳定性:该型号具有较好的热性能,最高结温(TJ)可达175°C,能够在高温环境下稳定工作,保证系统的可靠性和寿命。

    综上所述,FQPF18N20V2YDTU作为一款高性能的N沟道功率MOSFET,其应用场景和参数特点决定了它在各种需要高效能量传输和开关控制的电子设备中具有重要作用。这款产品在电源管理、电机控制、光伏逆变器、UPS系统和汽车电子等领域都展现出了出色的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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