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场效应MOS管FQPF13N50CF参数

PD最大耗散功率:48WID最大漏源电流:13AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.48ΩVRDS(ON)ld通态电流:6.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQPF13N50CF是一种常见的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FQPF13N50CF常用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器和逆变器等电源管理系统中。其高压、高效能和快速开关特性,使其在这些系统中起到关键作用,能够有效地转换电能,减少损耗,提高系统效率。

    2. 电机驱动器:在电动汽车、工业电机和家用电器的电机驱动器中,FQPF13N50CF作为开关元件使用。其高耐压和高电流处理能力,能够驱动各种类型的电机,确保稳定运行。

    3. 照明设备:LED驱动电路中,FQPF13N50CF常被用作调光和稳压元件。其高效率和可靠性,确保LED灯具长时间稳定工作,同时实现节能效果。

    4. 音频放大器:在高保真音频放大器中,FQPF13N50CF用于输出级,提供大功率的信号放大。其低导通电阻和高开关速度,能够减少失真,提高音质。

    5. 太阳能逆变器:FQPF13N50CF在太阳能光伏系统的逆变器中,用于直流到交流电的转换。其高效率和耐高压特性,确保太阳能系统的可靠性和高效能量转换。

    二、参数特点:

    - 耐压能力强:FQPF13N50CF的最大漏源电压(Vds)可达500V,这使其适用于高压电源管理和高电压转换电路。

    - 高电流处理能力:FQPF13N50CF的最大漏极电流(Id)为13A,能够处理较大电流,适用于需要高电流输出的应用场景。

    - 低导通电阻:其导通电阻(Rds(on))仅为0.5Ω,在高电流通过时能够有效减少功率损耗,提高整体效率。

    - 快速开关速度:FQPF13N50CF的开关速度非常快,能够在纳秒级别完成开关动作,这对于需要高频操作的电路尤为重要,如开关电源和高频转换器。

    - 封装形式:FQPF13N50CF采用TO-220F封装,这种封装形式具有良好的散热性能和机械强度,便于安装和使用,同时还能有效降低热阻,提高散热效率。

    综上所述,FQPF13N50CF作为一款高性能的N沟道功率MOSFET,其高性能、高效率和高可靠性的特点,使其在现代电子设备和电路设计中发挥着重要作用。FQPF13N50CF的广泛应用及其卓越的性能,使其成为众多工程师和设计师的首选器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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