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场效应MOS管FQPF12N60CT参数

PD最大耗散功率:51WID最大漏源电流:12AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.65ΩVRDS(ON)ld通态电流:6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQPF12N60CT是一款高效的功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电力系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FQPF12N60CT在开关电源中作为高效的开关元件使用,能够提供快速的开关速度和低导通电阻,从而提高电源的效率和可靠性。

    2. 电机驱动:FQPF12N60CT在电机驱动电路中表现出色,能够提供高效的电能转换和控制,适用于各种类型的电机,包括直流电机和步进电机。

    3. 逆变器:在逆变器中,FQPF12N60CT有效地将直流电转换为交流电,广泛应用于太阳能发电系统和不间断电源(UPS)中。

    4. 音频放大器:FQPF12N60CT在高保真音频放大器中提供稳定的电流输出和优良的热管理能力,确保音质的纯净和设备的可靠运行。

    5. 电池管理系统:在电池管理系统中,FQPF12N60CT用于控制充电和放电过程,提供过电流保护和电压调节,延长电池寿命并确保安全。

    二、参数特点:

    - 额定电压:FQPF12N60CT的漏源极电压(Vds)为600V,能够在高压环境下稳定工作,适用于需要高电压处理的应用场景。

    - 额定电流:该型号的连续漏极电流(Id)为12A,能够提供强劲的电流输出,满足高功率需求。

    - 导通电阻:FQPF12N60CT的导通电阻(Rds(on))低至0.5Ω,降低了导通损耗,提高了整体效率。

    - 开关速度:其开关速度快,具有较低的开关损耗,适用于高频应用,提高了电路的工作效率和性能。

    - 热性能:FQPF12N60CT具有优良的热管理能力,采用TO-220封装,有效散热,确保器件在高温环境下的稳定运行。

    综上所述,FQPF12N60CT以其高效的开关性能、强劲的电流输出和优良的热管理能力,成为各种电力电子设备和系统中不可或缺的重要组件。在设计电源、逆变器、电机驱动和电池管理系统时,FQPF12N60CT是一个值得信赖的选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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