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场效应MOS管FQPF11N50CF参数

PD最大耗散功率:48WID最大漏源电流:11AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.55ΩVRDS(ON)ld通态电流:5.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQPF11N50CF是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各类电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FQPF11N50CF常用于高效电源转换电路中,例如开关电源(SMPS)和DC-DC转换器。这种器件的高效率和低导通电阻使其在这些应用中表现出色,能够有效地减少能量损失,提高系统的整体效率。

    2. 电机驱动器:在电机控制系统中,FQPF11N50CF用于控制电机的开关操作。其快速开关特性和高耐压能力使其能够在高功率、高频率的电机驱动应用中发挥重要作用,确保电机的平稳运行。

    3. 逆变器和UPS系统:在逆变器和不间断电源(UPS)系统中,FQPF11N50CF被用于转换直流电为交流电。其高效能和耐高压特性,使其在处理大功率转换时表现优异,确保系统的稳定性和可靠性。

    4. 照明系统:FQPF11N50CF在LED照明驱动电路中也有广泛应用。其低导通电阻和高开关速度,使其能够高效驱动LED,提供稳定的照明效果,同时降低能源消耗。

    5. 工业控制系统:在工业自动化控制系统中,FQPF11N50CF用于各种功率控制电路,例如PLC输出模块和继电器驱动电路。其高可靠性和耐用性,使其适用于严苛的工业环境,确保设备的长期稳定运行。

    二、参数特点:

    - 高耐压能力:FQPF11N50CF的漏源极耐压为500V,这使得它适用于高压应用,能够处理较高的电压需求,适用于各种高压电路中。

    - 低导通电阻:该器件的导通电阻(RDS(on))为0.55Ω,这意味着在导通状态下,能量损失较小,提升了整个系统的效率。

    - 高开关速度:FQPF11N50CF具有快速的开关特性,开关时间极短,使其适合高频率应用,能够在高频开关电路中提供优异的性能。

    - 高电流承载能力:该器件的最大连续漏极电流为11A,这使得它能够处理大电流应用,适用于需要高电流驱动的场合。

    - 热特性良好:FQPF11N50CF具有良好的热特性,能够在高温环境下稳定工作,同时其封装设计也有助于散热,确保器件在高功率条件下的可靠性。

    综上所述,FQPF11N50CF凭借其高耐压、低导通电阻、高开关速度和高电流承载能力等特点,广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器、照明系统以及工业控制系统中,成为这些领域中不可或缺的关键元器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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