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场效应MOS管FQPF10N50CF参数

PD最大耗散功率:48WID最大漏源电流:10AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.61ΩVRDS(ON)ld通态电流:5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQPF10N50CF是一款高效能的功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,FQPF10N50CF可以作为主开关器件使用,因其高效率和低导通电阻,能够显著降低开关损耗,提高整体系统的能效。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,FQPF10N50CF凭借其快速开关特性和耐高压能力,可以稳定驱动各类电机,提升运行效率和可靠性。

    3. 逆变器:FQPF10N50CF在逆变器中用作功率转换器件,能够实现高效的直流到交流转换,适用于太阳能发电系统和不间断电源(UPS)系统。

    4. LED驱动器:在LED驱动电路中,FQPF10N50CF可以提供稳定的电流驱动,确保LED灯具的长寿命和高亮度输出。

    5. 高频变压器:在高频变压器应用中,FQPF10N50CF能够处理高频开关操作,保证变压器的高效工作。

    二、参数特点:

    - 高耐压能力:FQPF10N50CF具有500V的漏源极耐压(Vds),可以在高压环境下稳定工作,适用于高压应用场合。

    - 低导通电阻:其导通电阻(Rds(on))较低,仅为1.9Ω,这意味着在导通状态下,器件的功耗较低,提升了整体系统的能效。

    - 高脉冲电流处理能力:FQPF10N50CF的最大脉冲漏极电流(Idm)可达40A,能够应对短时的大电流需求,保护电路的安全。

    - 快速开关速度:得益于其低栅极电荷(Qg),FQPF10N50CF具备快速的开关速度,减少了开关损耗,提升了电路的工作效率。

    - 高可靠性:FQPF10N50CF采用先进的封装技术,提供良好的热管理能力和机械强度,确保其在恶劣环境下的长期稳定运行。

    综上所述,FQPF10N50CF凭借其卓越的电气性能和可靠性,成为开关电源、电机驱动、逆变器、LED驱动器和高频变压器等领域的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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