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场效应MOS管FQD20N06参数

PD最大耗散功率:2.5WID最大漏源电流:16.8AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.063ΩVRDS(ON)ld通态电流:8.4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQD20N06是一种常见的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FQD20N06常被用作主开关器件,用于控制电流的通断。它的低导通电阻和高开关速度使其在电源转换效率和热管理方面表现出色。

    2. 电动工具:在电动工具中,FQD20N06可以用来驱动电动机。由于其高电流承载能力和耐高压特性,可以保证电动工具在高负载下的稳定工作。

    3. 汽车电子:FQD20N06在汽车电子中也有广泛应用,如在电子控制单元(ECU)中用于控制各种电动执行器。此外,它在电动汽车的电池管理系统中也发挥着重要作用。

    4. 照明设备:在LED驱动电路中,FQD20N06常被用来调节LED灯的亮度和开关状态。其快速开关特性和高效率有助于实现稳定的光输出和节能效果。

    5. 消费电子:在电视、音响等消费电子产品中,FQD20N06也经常被用作开关和控制器件,以确保电路的高效运行和长寿命。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FQD20N06的典型导通电阻约为0.06欧姆,这意味着在同等条件下,它能够提供更低的导通损耗,提高系统的整体效率。

    - 高电流能力:该器件的最大连续漏极电流(ID)为20安培,这使得它能够在高电流应用中可靠工作,适用于各种需要大电流驱动的场合。

    - 耐高压特性:FQD20N06的漏源电压(VDSS)为60伏,这使其能够在较高电压下安全运行,适用于需要高压操作的电路。

    - 快速开关速度:该器件具有较快的开关时间,典型的栅极电荷(Qg)为20纳库伦,使其在高频开关应用中表现出色,减少开关损耗,提高效率。

    - 高输入电容(Ciss):FQD20N06的输入电容约为800皮法,尽管这意味着在驱动时需要更大的驱动电流,但也使得它在开关过程中具有更好的控制特性和稳定性。

    综上所述,FQD20N06以其低导通电阻、高电流能力、耐高压特性、快速开关速度和高输入电容等参数特点,在各种电子应用中得到了广泛使用。这些特点使得它在提高系统效率、降低功耗和实现稳定控制方面具有显著优势。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
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