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场效应MOS管FQD13N06LTM参数

PD最大耗散功率:28WID最大漏源电流:11AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.115ΩVRDS(ON)ld通态电流:5.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQD13N06LTM是一种常见的场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于各种电子设备和电路中。本文将详细介绍FQD13N06LTM的应用场景及其参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:在开关电源(SMPS)中,FQD13N06LTM被用作开关元件。它能够高效地控制电流的开关,从而提高电源的效率。其低导通电阻和快速开关特性使其非常适合这一应用场景。

    2. 电机驱动:在直流电机控制电路中,FQD13N06LTM常被用来驱动电机。它能够承受高电流和高电压,且具有低损耗的优点,这使得电机可以在较高效率下运行。

    3. 电池管理系统(BMS):在锂电池组的管理系统中,FQD13N06LTM可以用来作为充放电管理的开关。其高效的电流控制能力和稳定性,确保了电池组的安全和寿命。

    4. LED照明:在LED驱动电路中,FQD13N06LTM可以用作电流控制器,帮助实现高效能的LED照明。它的快速响应特性可以确保LED灯具在开关过程中保持稳定。

    5. 汽车电子:在汽车电子系统中,FQD13N06LTM被广泛用于各种控制单元,如引擎控制单元(ECU)、变速箱控制单元等。其高可靠性和耐用性,使其在严苛的汽车环境中表现优异。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻(RDS(on)):FQD13N06LTM的典型导通电阻为13毫欧姆(mΩ),这意味着在导通状态下,电流通过晶体管时的损耗非常低,从而提高了整体电路的效率。

    2. 高电流能力:FQD13N06LTM最大连续漏极电流为60安培(A),这使得它能够处理大电流应用,如电机驱动和电源管理。

    3. 耐高压能力:FQD13N06LTM的最大漏源电压为60伏(V),这使得它能够在高压环境下稳定工作,适用于多种高压电路应用。

    4. 快速开关速度:FQD13N06LTM的开关时间非常短,这使得它在需要快速开关的应用中表现出色。其典型的上升时间和下降时间均在几十纳秒(ns)级别,从而提高了系统的响应速度。

    5. 热稳定性:FQD13N06LTM具有良好的热稳定性,其结温范围从-55°C到+175°C。这使得它在高温或低温环境下均能可靠工作,适用于工业和汽车等严苛应用环境。

    综上所述,FQD13N06LTM由于其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于电源管理、电机驱动、电池管理、LED照明和汽车电子等领域。其低导通电阻、高电流和电压能力、快速开关速度和热稳定性,使其成为各类电路设计中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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