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场效应MOS管FQB11N40CTM参数

PD最大耗散功率:135WID最大漏源电流:10.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:400VRDS(ON)Ω内阻:0.53ΩVRDS(ON)ld通态电流:5.25AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQB11N40CTM是一种常见的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于各类电子和电气设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FQB11N40CTM常用于各种电源管理电路,包括DC-DC转换器和AC-DC转换器。其低导通电阻和高电流处理能力,使其能够有效管理和分配电力,从而提高电源系统的效率和稳定性。

    2. 开关电源(SMPS):在开关电源中,FQB11N40CTM作为主开关元件,能够高效转换电能,减少功率损耗。这使其成为高效、紧凑型开关电源设计中的理想选择。

    3. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,FQB11N40CTM可以帮助实现高效的电源切换和管理,确保在电力中断时能够提供稳定、可靠的电源输出。

    4. 电机驱动:FQB11N40CTM也被广泛应用于电机驱动电路,特别是需要高效电流控制和快速开关特性的电机驱动应用中。其高电流处理能力和快速开关特性,使其在电机控制系统中表现出色。

    5. 电动工具:在各种电动工具中,FQB11N40CTM能够提供高效的电流控制和管理,显著提升工具的性能和使用寿命。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):FQB11N40CTM的典型导通电阻为0.55Ω,这使其在导通状态下能够有效降低功率损耗,提升效率。

    - 击穿电压(VDS):FQB11N40CTM具有400V的击穿电压,这意味着它能够承受较高的电压,应对各种高电压应用场景。

    - 最大漏极电流(ID):FQB11N40CTM的最大漏极电流为11A,使其能够处理较大的电流,适用于高功率需求的应用。

    - 栅极电荷(Qg):FQB11N40CTM的总栅极电荷为48nC,这一参数决定了其开关速度。较低的栅极电荷使其能够实现快速开关,提升整体电路的响应速度。

    - 工作温度范围:FQB11N40CTM的工作温度范围为-55°C至150°C,这使其能够在各种严苛环境中稳定运行,保证设备的可靠性和耐用性。

    综上所述,FQB11N40CTM凭借其优异的电气性能和广泛的应用场景,成为各类电源管理和高效开关电路中的理想选择。其高电流处理能力、低导通电阻和快速开关特性,使其在各类应用中表现出色,满足了现代电子设备对高效、可靠电源管理元件的需求。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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