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场效应MOS管FQA28N15_F109参数

PD最大耗散功率:227WID最大漏源电流:33AV(BR)DSS漏源击穿电压:150VRDS(ON)Ω内阻:0.09ΩVRDS(ON)ld通态电流:16.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQA28N15_F109是一款高性能的N沟道功率MOSFET,适用于多种应用场合。其主要特点包括低导通电阻、高开关速度和优良的热特性,使其在以下领域得到广泛应用:

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FQA28N15_F109在开关电源中的低导通电阻有助于降低功率损耗,高开关速度提高了效率和稳定性。

    2. 电动车充电桩:由于其高电压和电流承受能力,FQA28N15_F109常用于电动车充电桩,确保快速充电和系统可靠性。

    3. 工业自动化设备:在各种工业设备中,FQA28N15_F109的高可靠性和耐用性使其成为电机驱动器和电子控制单元的理想选择。

    4. 太阳能逆变器:在可再生能源领域,特别是太阳能逆变器中,FQA28N15_F109的高效能特性有助于最大限度地提取和转换太阳能电能。

    5. 电动工具:作为电动工具的关键组件,FQA28N15_F109在高功率密度和长寿命要求下表现出色,确保设备稳定运行和高效能输出。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(Rds(on)):FQA28N15_F109典型值为XX mΩ,确保在高电流下低功耗和低温升。

    - 极限耐压(Vds):最大可达XX V,适应各种高压环境,保证设备的可靠性和安全性。

    - 开关速度(td(on), td(off)):快速开关特性,减少开关过程中的功耗损失,提高系统效率。

    - 热特性:优良的散热能力和温度特性,确保在高负载和高温环境下稳定工作。

    - 封装类型:通常采用XX封装,如TO-220,TO-247,方便与现有电路板和散热系统集成。

    综上所述,FQA28N15_F109因其出色的性能特点和广泛的应用领域而备受青睐,是许多高功率电子设备设计中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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