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场效应MOS管FDPF8N60ZUT参数

PD最大耗散功率:34.5WID最大漏源电流:6.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:1.35ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.25AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDPF8N60ZUT是一种高性能的场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于各种电力电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,FDPF8N60ZUT被用作高效的开关元件。其高电压和高电流能力使其能够处理高功率转换,提高了电源的效率和可靠性。

    2. 电动工具:在电动工具如电钻、电锯等设备中,FDPF8N60ZUT提供了稳定的电力驱动,确保工具在高负载下仍能稳定工作。

    3. 逆变器:在逆变器应用中,FDPF8N60ZUT用于将直流电转换为交流电。其高效的开关特性和低导通电阻有助于提高逆变器的整体效率。

    4. 照明设备:尤其在LED照明系统中,FDPF8N60ZUT被用作驱动电路的核心元件。其高频开关能力能够确保LED灯具在各种条件下均能稳定工作。

    5. 工业控制系统:在工业自动化和控制系统中,FDPF8N60ZUT用于驱动各种电机和执行器,提供可靠的控制和高效的电力传输。

    二、参数特点:

    1. 高耐压能力:FDPF8N60ZUT具有600V的耐压能力,这使其非常适合用于高电压应用中,能够承受较大的电压冲击而不损坏。

    2. 低导通电阻:其导通电阻仅为0.85欧姆(最大值),这意味着在工作时产生的功率损耗较低,从而提高了系统的效率。

    3. 高开关速度:FDPF8N60ZUT具备快速的开关速度,典型的开关时间在纳秒级别。这使其在高频开关应用中表现出色,有助于减小电磁干扰(EMI)和功率损耗。

    4. 低栅极电荷:该器件的栅极电荷较低,仅为20nC(典型值),这意味着驱动该器件所需的功率较低,有助于减少驱动电路的复杂性和成本。

    5. 高热性能:FDPF8N60ZUT具有良好的热性能,最大结温为150摄氏度,能够在高温环境中可靠运行。其良好的热性能使其适用于高功率和高密度的应用场景。

    综上所述,FDPF8N60ZUT以其高耐压、低导通电阻、高开关速度、低栅极电荷和优异的热性能,成为多种电力电子设备中不可或缺的核心元件。在开关电源、电动工具、逆变器、照明设备和工业控制系统等领域,它都展现出了卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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