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场效应MOS管FDPF6N60ZUT参数

PD最大耗散功率:33.8WID最大漏源电流:4.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:2ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.25AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDPF6N60ZUT是一种高效能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各类需要高效开关的电源管理系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):FDPF6N60ZUT在开关电源中,特别是高频开关电源中发挥重要作用。它能有效减少开关损耗,提高转换效率,从而使电源系统更加节能。

    2. 逆变器:在太阳能和风能发电系统中,逆变器是将直流电转换为交流电的关键组件。FDPF6N60ZUT由于其低导通电阻和高击穿电压,非常适合在这些系统中使用,能确保电能转换的高效性和稳定性。

    3. 电动汽车充电器:电动汽车的快速发展对高效充电器的需求越来越大。FDPF6N60ZUT具备高耐压和高可靠性特点,能满足电动汽车充电器对高效率和稳定性的要求。

    4. 工业控制设备:在工业自动化和控制系统中,FDPF6N60ZUT用于各种电机驱动和控制电路中,提供高效、可靠的电能转换和控制能力。

    5. 电源适配器:现代电源适配器需要高效、轻便且可靠,FDPF6N60ZUT凭借其优异的开关性能和低损耗,能够显著提升适配器的效率和使用寿命。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压:FDPF6N60ZUT的击穿电压高达600V,适用于需要高电压操作的场合,如工业电源和电动汽车充电器等。

    - 低导通电阻:该器件的导通电阻非常低,只有0.75Ω,这意味着在高电流通过时,其功率损耗较小,能有效提高系统效率。

    - 快速开关速度:FDPF6N60ZUT具备极快的开关速度,有助于减少开关损耗,提高整体电路的转换效率。

    - 高脉冲电流能力:它能够承受高达24A的脉冲电流,适用于需要处理高瞬态电流的应用,如电源适配器和工业控制设备。

    - 封装类型:FDPF6N60ZUT采用TO-220封装,具有良好的散热性能,适合安装在需要高功率密度和高散热要求的电路板上。

    综上所述,FDPF6N60ZUT凭借其高击穿电压、低导通电阻、快速开关速度等优异性能,广泛应用于各种高效能电源管理和转换系统中,是一款非常优秀的MOSFET器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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