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场效应MOS管FDPF5N50NZU参数

PD最大耗散功率:30WID最大漏源电流:3.9AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:2ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.95AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDPF5N50NZU是一种高效的N沟道MOSFET,广泛应用于多个领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):FDPF5N50NZU由于其低导通电阻和高电流处理能力,可以有效提高电源的转换效率,减少功率损耗。这使得它非常适合用在计算机电源、通信设备电源和家用电器电源中。

    2. 电机驱动:FDPF5N50NZU也被广泛应用于电机驱动电路中。它的高耐压特性和快速开关速度使其能够在高频操作下提供稳定的性能,常见于工业电机控制和家用电器中的电机控制电路。

    3. 逆变器:在太阳能逆变器和不间断电源(UPS)中,FDPF5N50NZU的高效能特性可以优化能量转换效率,确保系统在高功率应用下的稳定性和可靠性。

    4. 照明控制:FDPF5N50NZU适用于LED照明控制电路。其低开关损耗和高耐压特性使其能够在高频操作中保持高效率,常用于现代LED驱动器和智能照明系统中。

    5. 音频放大器:在音频放大器中,FDPF5N50NZU的低导通电阻和高电流处理能力有助于提升音频信号的质量,减少失真,提高音频放大器的整体性能。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FDPF5N50NZU的导通电阻非常低,这意味着在相同电流下,功率损耗更低,从而提高了整个电路的效率。例如,其典型的RDS(on)仅为1.8Ω,这在高功率应用中显得尤为重要。

    - 高耐压(VDS):FDPF5N50NZU具有500V的高耐压能力,使其能够在高压应用中提供可靠的性能,避免击穿损坏。这对于电源管理和电机控制等高压应用尤为关键。

    - 高脉冲电流能力:该器件具有高达25A的脉冲电流处理能力,这使得FDPF5N50NZU能够在短时间内处理高电流脉冲而不损坏,非常适合于需要高峰值电流的应用场景。

    - 快速开关速度:FDPF5N50NZU的开关速度非常快,其典型的上升时间和下降时间分别为10ns和15ns。这种快速响应能力使其在高频开关应用中表现优异,有效减少了开关损耗,提高了效率。

    - 低栅极电荷(Qg):FDPF5N50NZU具有较低的栅极电荷,仅为45nC。这意味着在驱动该MOSFET时,所需的驱动功率较低,可以使用更小、更高效的驱动电路,从而减少整体系统的功耗。

    综上所述,FDPF5N50NZU是一款高性能的N沟道MOSFET,适用于多种环境,从开关电源到电机驱动、逆变器、照明控制和音频放大器。其卓越的电气性能和高效率使其在各种应用中表现出色,确保了系统的可靠性和高效性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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