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场效应MOS管FDPF5N50NZF参数

PD最大耗散功率:30WID最大漏源电流:4.2AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:1.75ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.1AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDPF5N50NZF是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子电路中,其应用场景包括但不限于以下几个方面。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FDPF5N50NZF在开关电源(SMPS)和直流-直流转换器(DC-DC Converter)中,常被用作主开关元件。由于其低导通电阻和高开关速度,这款器件能够有效提高转换效率,减少功率损耗。

    2. 电机驱动:FDPF5N50NZF也常用于电机驱动电路,特别是在无刷直流电机(BLDC Motor)的控制中。其高电流承载能力和快速开关特性使其能够在高频率下稳定运行,从而实现精确的电机控制。

    3. 照明系统:在LED驱动电路中,FDPF5N50NZF被用来作为调光和开关控制元件。其高效率和高可靠性确保了LED照明系统的稳定性和长寿命。

    4. 音频放大器:在高保真音频放大器中,FDPF5N50NZF作为输出级功率元件,提供了低失真和高效率的音频放大解决方案,确保了音频信号的高质量输出。

    5. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,FDPF5N50NZF用于逆变器电路,将直流电转换为交流电。其高效率和高可靠性使其成为太阳能逆变器中的理想选择。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FDPF5N50NZF的导通电阻非常低,典型值为0.74Ω,这有助于减少导通损耗,提高电路效率。

    - 高击穿电压(VDSS):该器件的漏源击穿电压高达500V,适用于高压应用场景,如电源管理和电机驱动。

    - 大电流能力(ID):FDPF5N50NZF的最大漏极电流为5A,能够承载较大的电流,适用于高功率应用。

    - 快速开关速度:FDPF5N50NZF具有极快的开关速度,能够在高频率下稳定工作,从而减少开关损耗,提高系统效率。

    - 热性能优越:该器件的热阻较低,确保了在高功率条件下的良好散热性能,延长了器件的使用寿命。

    综上所述,FDPF5N50NZF在多个应用场景中都能发挥重要作用,并且其优越的参数特点确保了其在各类电子电路中的可靠性和高效性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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