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场效应MOS管FDPF16N50UT参数

PD最大耗散功率:38.5WID最大漏源电流:15AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.48ΩVRDS(ON)ld通态电流:7.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDPF16N50UT是一种高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电源管理和转换领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):FDPF16N50UT在开关电源中,由于其低导通电阻和高开关速度,可以显著提高电源的效率和稳定性,适用于计算机、通信设备和消费电子中的电源适配器和直流电源。

    2. 电机控制:在电机驱动和控制系统中,FDPF16N50UT能够提供高效的电流传输和快速的开关能力,从而提高电机的响应速度和精度,常用于工业自动化和家用电器中的电机控制模块。

    3. 逆变器和变频器:FDPF16N50UT在逆变器和变频器中,可以有效地进行直流到交流电的转换,广泛应用于太阳能发电系统和风能发电系统中,帮助提高能源转换效率和系统可靠性。

    4. 照明控制:FDPF16N50UT也被用于LED照明和HID照明控制电路中,其优异的热管理性能和高可靠性,使其在照明系统中具备长寿命和高效能的优势。

    5. 汽车电子:在汽车电子系统中,FDPF16N50UT用于控制电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统和动力传输系统,提供高效的电力控制和转换能力,提高车辆的整体性能和能源利用率。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FDPF16N50UT的典型导通电阻为0.32Ω,这意味着它在导通状态下具有较低的电能损耗,能够提高整个电路的效率。

    - 高耐压能力:FDPF16N50UT的漏源电压(VDSS)高达500V,适合用于高电压应用场景,能够承受较大的电压波动和瞬态电压。

    - 高开关速度:FDPF16N50UT具有快速的开关速度,其栅极电荷(Qg)仅为37nC,这使得它在高频开关应用中表现出色,减少了开关损耗。

    - 良好的热管理性能:FDPF16N50UT具有低热阻(RθJC),保证在高功率应用中能够有效散热,维持稳定的工作状态,适合于高功率密度的设计需求。

    - 高可靠性:FDPF16N50UT经过严格的质量测试和验证,具备出色的可靠性和长期稳定性,能够在严苛的工作环境中提供稳定的性能。

    综上所述,FDPF16N50UT因其低导通电阻、高耐压能力、高开关速度、良好的热管理性能以及高可靠性,被广泛应用于开关电源、电机控制、逆变器和变频器、照明控制以及汽车电子等领域,是高效电力转换和管理的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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