PD最大耗散功率:42WID最大漏源电流:10AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.8ΩVRDS(ON)ld通态电流:5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
立即咨询一、应用场景:
1. 开关电源(SMPS):FDPF12N50UT常用于开关电源中,特别是在高效能、高频率的电源转换器中。其低导通电阻和快速开关速度使其在减少能量损耗和提高转换效率方面表现优异。
2. 照明系统:在LED照明驱动器中,FDPF12N50UT用于调节电流和电压,确保LED的稳定运行。其高耐压和低热阻特性使其非常适合于高功率照明应用。
3. 电机控制:FDPF12N50UT也被用于电机控制电路中,尤其是无刷直流电机(BLDC)的驱动。其高开关速度和低开关损耗使其能够有效地控制电机转速和方向。
4. 逆变器和转换器:在太阳能逆变器和电池管理系统中,FDPF12N50UT用于DC-AC和DC-DC转换。其高电流处理能力和稳定的工作特性为这些系统提供了可靠的解决方案。
5. 工业控制系统:FDPF12N50UT还广泛应用于工业自动化控制系统中,如PLC、传感器和执行器的控制电路。其高可靠性和耐用性确保了工业系统的长期稳定运行。
二、参数特点:
- 导通电阻(RDS(on)):FDPF12N50UT具有极低的导通电阻,这意味着在导通状态下,器件的能量损耗较小,从而提高了整个电路的效率。
- 击穿电压(VDSS):FDPF12N50UT的漏源击穿电压高达500V,适用于高电压应用,确保在高电压环境下的可靠运行。
- 开关速度:FDPF12N50UT具有快速的开关速度,其开通和关断时间非常短,有助于提高电路的开关频率,减少开关损耗。
- 栅极电荷(Qg):FDPF12N50UT的总栅极电荷较低,这使得驱动功率需求减少,有利于电路设计的简化和成本的降低。
- 热阻:FDPF12N50UT的热阻非常低,良好的热管理性能确保了在高功率条件下器件的稳定运行,延长了器件的使用寿命。
- 封装形式:FDPF12N50UT采用TO-220封装,这种封装形式具有良好的散热性能,便于安装和使用,适用于多种应用场景。
综上所述,FDPF12N50UT凭借其优异的性能和多样的应用场景,成为功率MOSFET领域的一款重要器件。无论是在开关电源、照明系统还是工业控制中,FDPF12N50UT都展现出其独特的优势和广泛的适用性。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
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