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场效应MOS管FDPF12N50NZ参数

PD最大耗散功率:42WID最大漏源电流:11.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.52ΩVRDS(ON)ld通态电流:5.75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDPF12N50NZ是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于多种电子和电力设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):FDPF12N50NZ在开关电源中发挥重要作用,尤其是在高效能和高频率开关的场合。这种MOSFET具有低导通电阻和高击穿电压,使其能够在大电流和高电压环境下稳定工作,提供更高的转换效率。

    2. 电机驱动器:在电机控制领域,FDPF12N50NZ用于驱动直流电机和无刷电机。其快速开关特性和低导通电阻能够减少功率损耗,提高电机的运行效率和寿命。

    3. 太阳能逆变器:FDPF12N50NZ在太阳能逆变器中的应用也非常广泛。它能够有效地转换直流电为交流电,支持高效能的能量传递,满足家庭和工业太阳能发电系统的需求。

    4. 电池管理系统:在电动汽车和储能系统中,FDPF12N50NZ用于电池管理系统(BMS),帮助监控和控制电池的充放电过程,确保电池的安全性和长寿命。

    5. UPS系统:不间断电源(UPS)系统使用FDPF12N50NZ来管理电力转换和储存,保证在主电源故障时提供可靠的备用电力支持。

    二、参数特点:

    - 最大漏源电压(Vds):FDPF12N50NZ的最大漏源电压为500V,能够承受高电压应用场合的需求,提供更高的电压裕度,适合高电压转换器和逆变器应用。

    - 最大连续漏极电流(Id):FDPF12N50NZ的最大连续漏极电流为12A,在高电流传输需求中表现出色,适合需要大电流驱动的电机和电源系统。

    - 导通电阻(Rds(on)):该MOSFET的导通电阻非常低,仅为0.37Ω,低导通电阻意味着在开关过程中产生的功耗较小,提升系统的整体效率。

    - 栅极电荷(Qg):FDPF12N50NZ的总栅极电荷为58nC,这使其能够实现快速的开关速度,降低开关损耗,提高工作效率。

    - 工作温度范围:FDPF12N50NZ的工作温度范围为-55°C到150°C,能够在极端环境条件下稳定工作,适应各种工业和商业应用环境。

    综上所述,可以看出FDPF12N50NZ在多个领域中具备优异的性能,成为众多工程师和设计师的优选器件。在选择高效能、高可靠性的功率MOSFET时,FDPF12N50NZ无疑是一个值得信赖的选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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