PD最大耗散功率:42WID最大漏源电流:11.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.52ΩVRDS(ON)ld通态电流:5.75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
立即咨询一、应用场景:
1. 开关电源(SMPS):FDPF12N50NZ在开关电源中发挥重要作用,尤其是在高效能和高频率开关的场合。这种MOSFET具有低导通电阻和高击穿电压,使其能够在大电流和高电压环境下稳定工作,提供更高的转换效率。
2. 电机驱动器:在电机控制领域,FDPF12N50NZ用于驱动直流电机和无刷电机。其快速开关特性和低导通电阻能够减少功率损耗,提高电机的运行效率和寿命。
3. 太阳能逆变器:FDPF12N50NZ在太阳能逆变器中的应用也非常广泛。它能够有效地转换直流电为交流电,支持高效能的能量传递,满足家庭和工业太阳能发电系统的需求。
4. 电池管理系统:在电动汽车和储能系统中,FDPF12N50NZ用于电池管理系统(BMS),帮助监控和控制电池的充放电过程,确保电池的安全性和长寿命。
5. UPS系统:不间断电源(UPS)系统使用FDPF12N50NZ来管理电力转换和储存,保证在主电源故障时提供可靠的备用电力支持。
二、参数特点:
- 最大漏源电压(Vds):FDPF12N50NZ的最大漏源电压为500V,能够承受高电压应用场合的需求,提供更高的电压裕度,适合高电压转换器和逆变器应用。
- 最大连续漏极电流(Id):FDPF12N50NZ的最大连续漏极电流为12A,在高电流传输需求中表现出色,适合需要大电流驱动的电机和电源系统。
- 导通电阻(Rds(on)):该MOSFET的导通电阻非常低,仅为0.37Ω,低导通电阻意味着在开关过程中产生的功耗较小,提升系统的整体效率。
- 栅极电荷(Qg):FDPF12N50NZ的总栅极电荷为58nC,这使其能够实现快速的开关速度,降低开关损耗,提高工作效率。
- 工作温度范围:FDPF12N50NZ的工作温度范围为-55°C到150°C,能够在极端环境条件下稳定工作,适应各种工业和商业应用环境。
综上所述,可以看出FDPF12N50NZ在多个领域中具备优异的性能,成为众多工程师和设计师的优选器件。在选择高效能、高可靠性的功率MOSFET时,FDPF12N50NZ无疑是一个值得信赖的选择。
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