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场效应MOS管FDPF045N10A参数

PD最大耗散功率:43WID最大漏源电流:67AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.0045ΩVRDS(ON)ld通态电流:67AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDPF045N10A是一款由Fairchild Semiconductor生产的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其应用场景广泛且参数特点显著。以下将详细介绍FDPF045N10A的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FDPF045N10A常用于高效电源管理系统中,尤其是在DC-DC转换器和AC-DC电源适配器中。其低导通电阻和快速开关特性使其非常适合用于需要高效能量传输和低损耗的场合。

    2. 电动工具:在电动工具中,FDPF045N10A可用于控制电机的开关。其高电流处理能力和坚固的设计确保了工具在高负载下的可靠性和耐用性。

    3. 电动汽车充电器:在电动汽车充电器中,FDPF045N10A用于充电电路的控制和调节。其高效能和低热损耗特点,帮助提升充电器的整体效率和可靠性。

    4. 照明设备:FDPF045N10A在LED照明驱动电路中也有广泛应用。其高效能和稳定的性能使其成为驱动高亮度LED的理想选择,确保照明设备的长寿命和高效率。

    5. 家电设备:在家电设备中,例如空调、洗衣机和冰箱,FDPF045N10A用于控制功率模块,提供稳定和高效的电力转换和控制。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FDPF045N10A具有非常低的导通电阻,典型值仅为4.5mΩ。这意味着在导通状态下的电能损耗极低,提高了系统的整体效率。

    - 高电流处理能力:FDPF045N10A的连续漏极电流可以达到80A,峰值脉冲电流更是高达320A,使其能够在高负载条件下稳定工作,适用于需要处理大电流的应用场景。

    - 耐高压能力:FDPF045N10A的漏源击穿电压(BVDSS)为100V,确保其在高压应用中能够安全运行,避免因电压过高而导致的损坏。

    - 快速开关速度:FDPF045N10A具有快速的开关速度,极大的减少了开关损耗和热量的产生。这使得其在高频开关电源和PWM控制电路中表现尤为出色。

    - 可靠的热性能:FDPF045N10A的热阻(RθJC)仅为0.45°C/W,优异的热管理性能使其在高功率应用中能够有效散热,保持器件的稳定性和长寿命。

    综上所述,FDPF045N10A凭借其低导通电阻、高电流处理能力、耐高压能力、快速开关速度和可靠的热性能,广泛应用于电源管理系统、电动工具、电动汽车充电器、照明设备和家电设备等多个领域。其卓越的性能特点使其成为众多高效能应用的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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