收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管FDP42AN15AO参数

场效应MOS管FDP42AN15AO参数

PD最大耗散功率:150WID最大漏源电流:5AV(BR)DSS漏源击穿电压:150VRDS(ON)Ω内阻:0.042ΩVRDS(ON)ld通态电流:12AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

立即咨询


    FDP42AN15AO是一款在电子和电气工程领域广泛应用的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FDP42AN15AO常用于DC-DC转换器和AC-DC电源中,作为开关元件来控制电流流动,提高转换效率。其低导通电阻和快速开关特性,使其在高效能电源管理中表现出色。

    2. 电机驱动:在工业和家用电器中,电机驱动是一个重要的应用领域。FDP42AN15AO因其高电流处理能力和耐高压特性,广泛用于驱动电机,从而实现高效能和可靠性。

    3. 光伏逆变器:光伏系统需要高效的功率转换设备,FDP42AN15AO能够在光伏逆变器中起到关键作用,通过其低导通损耗和高效开关特性,提升整体系统的能效。

    4. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,可靠性和快速响应是关键因素。FDP42AN15AO具有快速开关和高可靠性,使其在UPS系统的电池管理和功率转换中发挥重要作用,确保电力的连续供应。

    5. 电动汽车:电动汽车对功率元件的要求非常高,FDP42AN15AO能够提供高效的电能转换和管理,应用于车载充电系统和电动驱动系统,提高电动汽车的整体效率和性能。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):FDP42AN15AO的最大导通电阻为4.2毫欧,这意味着在通电状态下,它的内阻非常低,能够减少功率损耗,提高系统效率。

    - 漏源电压(VDS):这款MOSFET的最大漏源电压为150V,使其能够承受较高的电压,适用于高压应用场景。

    - 电流处理能力(ID):FDP42AN15AO的连续漏极电流为60A,峰值脉冲电流高达240A,表明其能够处理大电流应用,是高功率系统的理想选择。

    - 开关速度:其开关特性表现优异,具有快速开关能力,使其在高频率应用中能有效减少开关损耗,提升整体效率。

    - 封装形式:FDP42AN15AO采用TO-220封装,这种封装形式有利于散热管理,适合大功率应用场景,提高器件的可靠性和寿命。

    综上所述,FDP42AN15AO凭借其优越的电气特性和可靠的封装形式,广泛应用于电源管理、电机驱动、光伏逆变器、不间断电源以及电动汽车等多个领域,为各种高效能和高可靠性的电子设备提供了坚实的技术支持。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号