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场效应MOS管FDP20AN06AO参数

PD最大耗散功率:90WID最大漏源电流:45AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.02ΩVRDS(ON)ld通态电流:45AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDP20AN06AO是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备中,主要包括以下几个场景:

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在计算机和服务器的电源管理系统中,FDP20AN06AO常被用作开关元件,因其低导通电阻和高效率特点,有助于提高整体系统的能效和可靠性。

    2. 电动工具:对于电动工具而言,功率器件的可靠性和效率至关重要。FDP20AN06AO能够提供稳定的电流输出,同时降低热损耗,因此在高性能电动工具中得到广泛应用。

    3. 汽车电子:在现代汽车电子系统中,功率MOSFET如FDP20AN06AO被用来驱动马达、控制照明系统以及管理电源。这款器件能够在高温和高应力环境下稳定工作,是汽车电子系统中的理想选择。

    4. 太阳能逆变器:太阳能系统中,逆变器需要高效的开关器件来转换直流电为交流电。FDP20AN06AO凭借其高效能和低开关损耗,在此类应用中发挥了关键作用。

    5. 工业控制:在工业自动化和控制系统中,FDP20AN06AO用于控制各种电动机和执行器。其快速开关速度和高可靠性使其成为这些系统中不可或缺的组件。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:FDP20AN06AO的RDS(on)值仅为4.2毫欧姆(典型值),这意味着在导通状态下,其电阻非常低,能够有效减少能量损耗,提高效率。

    - 高电流承载能力:该器件的最大连续漏极电流为60安培,这使得FDP20AN06AO能够处理高功率应用,满足大电流需求。

    - 耐高压:FDP20AN06AO的漏源极击穿电压为60伏特,确保其在高压环境下稳定运行,适合多种工业和汽车电子应用。

    - 快速开关速度:FDP20AN06AO具有极快的开关速度,能够在极短时间内完成导通和关断过程,这对于需要快速响应的电路系统至关重要。

    - 低栅极电荷:FDP20AN06AO的栅极电荷(Qg)为71纳库仑,低栅极电荷意味着该器件在开关过程中消耗的能量较少,有助于降低开关损耗,提高整体效率。

    通过以上详细介绍,我们可以看出,FDP20AN06AO在电源管理、电动工具、汽车电子、太阳能逆变器以及工业控制等领域中具有广泛的应用前景,并且其低导通电阻、高电流承载能力、耐高压、快速开关速度以及低栅极电荷等参数特点,使其成为功率MOSFET中的优秀代表。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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