PD最大耗散功率:310WID最大漏源电流:80AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.0038ΩVRDS(ON)ld通态电流:80AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
立即咨询
一、应用场景:
1. 电源管理:在开关电源、DC-DC转换器和电池管理系统中,FDP038AN06A0的高效性能和低导通电阻使其成为理想的选择。这种MOSFET能够在高频开关模式下有效地控制电流,从而提高整体电源效率。
2. 电机控制:在各种电机驱动器和控制器中,FDP038AN06A0由于其出色的开关性能和热管理特性,可以提供稳定且高效的电流控制。这在电动工具、电动自行车和工业自动化设备中尤为重要。
3. 太阳能逆变器:在太阳能光伏系统中,FDP038AN06A0被用来转换和管理太阳能电池板产生的直流电压。这种MOSFET能够在高电压和大电流条件下高效工作,从而最大化能量转换效率。
4. 汽车电子:FDP038AN06A0常用于电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统和电机驱动控制单元。这种MOSFET能够在苛刻的汽车环境中提供高可靠性和高效性能。
5. 通信设备:在基站、服务器和其他高性能通信设备中,FDP038AN06A0的快速开关能力和低导通电阻有助于实现稳定且高效的电源供应。
二、参数特点:
- 低导通电阻(Rds(on)):FDP038AN06A0的导通电阻极低,仅为3.8毫欧(最大值),这使其在导通状态下的功率损耗非常低,从而提高了整体系统的效率。
- 高电流处理能力:这种MOSFET能够处理高达120安培的连续漏极电流,这使其非常适合需要大电流传输的应用场景,如电机驱动和电源管理。
- 高击穿电压:FDP038AN06A0的漏源击穿电压(BVDSS)为60伏,这意味着它能够在较高电压条件下可靠工作,适用于多种电源和驱动应用。
- 快速开关速度:FDP038AN06A0具有极快的开关速度,典型的开通和关断时间分别为20纳秒和40纳秒。这使得它能够在高频应用中高效运行,减少开关损耗。
- 出色的热管理性能:FDP038AN06A0采用了先进的封装技术,具有良好的热导性能,能够有效地散热,确保在高功率条件下的稳定运行。这对于长时间工作在高负载下的设备尤为重要。
综上所述,FDP038AN06A0以其低导通电阻、高电流处理能力、高击穿电压、快速开关速度和出色的热管理性能,成为了各种高效能应用中的理想选择。其在电源管理、电机控制、太阳能逆变器、汽车电子和通信设备等多个领域的广泛应用,充分展示了其优异的性能和可靠性。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
电话:13534146615
企业QQ:2881579535
深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号