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场效应MOS管FDD8870_F085参数

PD最大耗散功率:160WID最大漏源电流:160AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.0039ΩVRDS(ON)ld通态电流:35AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1.2~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDD8870_F085是一款在现代电子设备中广泛应用的N沟道MOSFET,其高效能和可靠性使其成为各种应用的理想选择。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FDD8870_F085常用于开关电源和电池管理系统中。由于其低导通电阻和高开关速度,这款MOSFET能够有效减少功耗,提高电源效率。

    2. 电机驱动:在直流电机和步进电机的驱动电路中,FDD8870_F085表现出色。其出色的电流处理能力和耐用性确保了电机的稳定运行和长寿命。

    3. 汽车电子:FDD8870_F085具备高温工作能力和抗干扰性能,广泛应用于汽车电子系统,如电动窗控制、车灯调节和电动助力转向等。

    4. 消费电子:在笔记本电脑、智能手机和其他便携设备中,FDD8870_F085用于电源管理和信号调节,确保设备的高效能和低热量产生。

    5. 工业控制:FDD8870_F085在工业自动化和控制系统中应用广泛。其高可靠性和强抗干扰能力使其成为PLC、传感器接口和控制器的理想选择。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:FDD8870_F085的典型导通电阻仅为6.5mΩ,这使其在导通状态下能够减少能量损耗,提高效率。

    - 高开关速度:这款MOSFET具备快速开关能力,其典型开关时间在纳秒级别。这对于需要快速响应的电路设计尤为重要,如高频开关电源和高速电机驱动。

    - 高耐压性:FDD8870_F085的漏源极耐压为80V,能够在较高电压环境下稳定工作,适用于多种高压应用场景。

    - 高电流处理能力:其连续漏极电流(ID)可达75A,使其能够处理大电流负载,适用于需要高电流的应用,如电机驱动和电源管理。

    - 热性能优异:FDD8870_F085具有出色的热性能,其结温可高达175°C。这意味着在高温环境下,该MOSFET依然能够可靠运行,适合工业和汽车电子等高温应用。

    综上所述,FDD8870_F085凭借其低导通电阻、高开关速度、高耐压性和高电流处理能力,成为各类电子设备中不可或缺的元件。无论是在电源管理、电机驱动还是汽车电子等应用中,FDD8870_F085都能提供卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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