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场效应MOS管FDD3N50NZTM参数

PD最大耗散功率:40WID最大漏源电流:2.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:2.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.25AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDD3N50NZTM是一种常见的功率MOSFET,其广泛应用于多种电子和电气设备中,以下是其主要应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FDD3N50NZTM在开关电源中扮演关键角色,尤其是在AC-DC转换器和DC-DC转换器中。其高效能和快速开关速度有助于提高电源转换效率,降低能耗。

    2. 电机驱动:在电机驱动电路中,FDD3N50NZTM被用作功率开关器件。其低导通电阻和高耐压特性使其能够承受较高的电流和电压,从而提高电机运行的可靠性和效率。

    3. 照明系统:FDD3N50NZTM常用于LED照明系统的驱动电路中。其高效能和低损耗特性有助于提高LED灯的亮度和寿命,同时降低能源消耗。

    4. 逆变器:在太阳能逆变器和风能逆变器中,FDD3N50NZTM作为主要的开关元件,帮助实现直流电向交流电的高效转换,确保能源的有效利用。

    5. 消费电子:FDD3N50NZTM也广泛应用于各类消费电子产品中,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理模块中。其高效能和小尺寸有助于提高设备的续航能力和性能。

    二、参数特点:

    - 高耐压性:FDD3N50NZTM的漏源击穿电压(Vds)高达500V,这使其能够在高压环境下稳定工作,适用于各种高压应用场合。

    - 低导通电阻:其典型导通电阻(Rds(on))仅为2.9Ω,较低的导通电阻有助于降低功率损耗,提高电路的效率和可靠性。

    - 高开关速度:FDD3N50NZTM具有快速的开关特性,其开关时间极短,有助于提高电路的响应速度,适用于高频开关电路。

    - 大电流能力:该MOSFET的最大连续漏极电流(Id)为3A,能够处理较大的电流负载,适合高功率应用场合。

    - 良好的热性能:FDD3N50NZTM在设计上具有较低的热阻,这有助于散热管理,确保器件在高功率条件下稳定运行,延长其使用寿命。

    通过以上详细描述,我们可以看出,FDD3N50NZTM在多种应用场景中发挥了重要作用,其卓越的参数特点确保了其在各类高效能电路中的可靠性和稳定性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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