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场效应MOS管FDD24AN06LA0参数

PD最大耗散功率:75WID最大漏源电流:40AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.019ΩVRDS(ON)ld通态电流:40AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDD24AN06LA0是一款低压MOSFET,广泛应用于各种电子和电力系统中。以下是它的应用场景和参数特点的详细描述。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在各种电源管理系统中,FDD24AN06LA0作为一个开关元件,可以高效地控制电流流动,实现稳压和电源分配功能。它通常用于开关电源、DC-DC转换器和电池管理系统中。

    2. 电动工具:电动工具需要高效的电流控制,FDD24AN06LA0能够在高电流情况下保持低导通电阻,从而减少能量损耗,提高电动工具的效率和续航时间。

    3. 汽车电子:在汽车电子系统中,FDD24AN06LA0被广泛用于控制各种电动负载,如电动窗、电动座椅和灯光控制系统。它的低导通电阻和高可靠性使其成为汽车电子系统中的理想选择。

    4. 工业控制系统:在工业自动化和控制系统中,FDD24AN06LA0被用来驱动电机和控制其他高功率负载。其出色的性能和耐用性使其能够在恶劣的工业环境中稳定运行。

    5. 消费电子:在智能手机、平板电脑和笔记本电脑等消费电子产品中,FDD24AN06LA0用于管理电源分配和保护电路,确保设备的安全和高效运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FDD24AN06LA0的导通电阻极低,典型值仅为7.5毫欧姆(mΩ),这使得它在导通状态下的功耗极小,提高了整体系统的效率。

    - 高电流承载能力:FDD24AN06LA0具备高达24A的连续漏极电流承载能力,使其能够在高电流应用中保持稳定工作。

    - 低栅极电荷(Qg):该器件的栅极电荷典型值为24nC,这意味着它可以在较低的栅极驱动电压下快速开关,提高了开关速度和效率。

    - 耐高压能力:FDD24AN06LA0的漏源极电压(VDS)最大可达60V,使其能够在较高电压应用中使用,增强了系统的可靠性和安全性。

    - 热性能优异:该MOSFET具有良好的热性能,其最大结温(TJ)为175°C,这使得FDD24AN06LA0能够在高温环境下稳定运行,适用于工业和汽车电子等严苛环境。

    综上所述,FDD24AN06LA0以其低导通电阻、高电流承载能力、快速开关和优异的热性能,成为众多高效能应用中的理想选择。其广泛的应用场景和卓越的性能特点,使其在电源管理、电动工具、汽车电子、工业控制和消费电子等领域表现出色。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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