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场效应MOS管FDD20AN06A0参数

PD最大耗散功率:90WID最大漏源电流:45AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.02ΩVRDS(ON)ld通态电流:45AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDD20AN06A0是一种N沟道MOSFET晶体管,广泛应用于多种领域,特别是在需要高效电源管理和开关应用的场景中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FDD20AN06A0常用于直流-直流转换器(DC-DC Converter)中。它能够在高频率下有效地进行电压调节,提高电源转换效率,减少能量损耗。

    2. 电动工具:在电动工具如电钻和电动螺丝刀中,FDD20AN06A0被用作控制电动机的开关元件。其快速开关特性和低导通电阻能够有效减少工具内部的热损耗,提高工具的工作效率和使用寿命。

    3. 汽车电子:FDD20AN06A0也广泛应用于汽车电子系统中,包括电动窗、座椅调节和发动机控制单元(ECU)等。其高电流处理能力和稳定的性能能够确保汽车电子系统的可靠性和安全性。

    4. 消费电子产品:在笔记本电脑、智能手机等消费电子产品中,FDD20AN06A0用于电源开关和电池管理系统,确保设备的高效能和低能耗。

    5. 工业自动化:FDD20AN06A0还应用于工业自动化控制系统中,如可编程逻辑控制器(PLC)和伺服电机控制系统中,提供高效稳定的电源控制,提升工业设备的自动化水平和可靠性。

    二、参数特点:

    - 导通电阻:FDD20AN06A0的最大导通电阻(RDS(on))为11.8毫欧(mΩ)@ 10V。这意味着在导通状态下,电流通过晶体管时产生的电压降非常小,有助于提高整体电路的效率。

    - 击穿电压:FDD20AN06A0的漏源击穿电压(VDSS)为60伏特(V),这使得它能够在较高电压环境下可靠工作,适用于多种高压应用场景。

    - 最大漏极电流:该MOSFET的最大连续漏极电流(ID)为20安培(A)@ 25°C。这表明FDD20AN06A0能够处理较大的电流,适用于高电流需求的应用。

    - 开关速度:FDD20AN06A0的开关速度非常快,其典型的上升时间和下降时间分别为19纳秒(ns)和45纳秒(ns)。这种快速开关能力使其在高频应用中表现出色。

    - 封装形式:FDD20AN06A0采用的是DPAK(TO-252)封装。这种封装形式具有较好的热性能和机械强度,便于电路板上的安装和散热管理。

    通过上述描述,我们可以看到FDD20AN06A0在各种高效电源管理和开关应用中发挥着重要作用。其卓越的参数特点使其成为电子工程师在设计电源和控制电路时的首选器件之一。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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