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场效应MOS管FDD18N20LZ参数

PD最大耗散功率:89WID最大漏源电流:16AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.125ΩVRDS(ON)ld通态电流:8AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDD18N20LZ是一种功率MOSFET,广泛应用于各种电源管理系统、开关电源、直流-直流转换器、马达驱动器和负载开关等电子设备中。以下将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FDD18N20LZ常用于电源管理系统中,特别是在需要高效能和低功耗的场景。由于其低导通电阻和快速开关特性,能够有效减少功率损耗,提高系统效率。

    2. 开关电源:在开关电源设计中,FDD18N20LZ作为开关器件,可以实现高频率、高效率的电能转换。其优异的开关特性和低栅极电荷使其在高频操作中表现突出,适用于各种类型的开关电源,如AC-DC、DC-DC转换器等。

    3. 直流-直流转换器:在直流-直流转换器应用中,FDD18N20LZ能够提供高效的电能转换,特别适用于电压调节和稳压电路中。其高耐压和低导通电阻特性保证了转换器的稳定性和效率。

    4. 马达驱动器:FDD18N20LZ在马达驱动器中的应用也非常广泛。其快速开关速度和低导通电阻能够满足马达控制的高性能需求,提供精确的速度和位置控制。

    5. 负载开关:作为负载开关,FDD18N20LZ能够提供高效的电流控制,适用于各种需要快速切换负载的应用场景,如电池管理系统和电源保护电路等。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:FDD18N20LZ的导通电阻非常低,在10V的栅极电压下,其最大导通电阻仅为0.1Ω,这意味着在导通状态下具有极低的电压降和功率损耗,适合高效率电源设计。

    - 高耐压能力:FDD18N20LZ具有200V的漏源极耐压能力,能够适应高电压环境,确保在高压工作条件下的安全性和稳定性。

    - 快速开关速度:得益于其低栅极电荷,FDD18N20LZ能够实现快速的开关速度,这对于高频开关电源和快速响应的电源管理系统尤为重要。

    - 低栅极电荷:FDD18N20LZ的总栅极电荷(Qg)仅为50nC,这使得其在驱动时所需的能量更少,能够快速响应控制信号,提高系统整体的效率。

    - 高功率处理能力:FDD18N20LZ的最大连续漏极电流为18A,在合理的散热条件下,能够处理大电流负载,适合高功率应用。

    综上所述,FDD18N20LZ凭借其低导通电阻、高耐压、快速开关速度、低栅极电荷和高功率处理能力,成为电源管理、开关电源、直流-直流转换器、马达驱动器和负载开关等应用场景的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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