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场效应MOS管FDD16AN08A0参数

PD最大耗散功率:135WID最大漏源电流:50AV(BR)DSS漏源击穿电压:75VRDS(ON)Ω内阻:0.016ΩVRDS(ON)ld通态电流:50AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDD16AN08A0是一款N沟道场效应管(MOSFET),常用于各种电源管理和功率开关应用中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 通信设备:FDD16AN08A0常用于通信设备的电源管理和功率控制,确保信号传输的稳定性和可靠性。

    2. 工业自动化:在工业控制系统中,FDD16AN08A0可用于电机控制、电源逆变和其他高功率应用。

    3. 汽车电子:在汽车电子系统中,FDD16AN08A0常用于电动汽车的电机控制、充电桩以及其他功率控制应用。

    4. 家用电器:FDD16AN08A0可用于家用电器如空调、洗衣机等的电源管理和功率开关。

    5. 太阳能系统:FDD16AN08A0可用于太阳能逆变器和充电控制器中,实现太阳能电能的高效转换和管理。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:FDD16AN08A0具有低导通电阻,能够降低功率损耗,提高系统效率。

    2. 快速开关速度:其快速的开关特性使其适用于高频率应用,减少开关损耗。

    3. 高耐压能力:该型号具有较高的耐压能力,适用于各种不同电源系统的设计。

    4. 可靠性高:FDD16AN08A0采用优质材料和先进工艺制造,具有良好的温度稳定性和可靠性。

    5. 封装形式多样:该型号提供多种封装形式,方便设计人员根据需求选择合适的封装形式。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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