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场效应MOS管FDD10AN06AO参数

PD最大耗散功率:135WID最大漏源电流:50AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.0105ΩVRDS(ON)ld通态电流:50AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDD10AN06AO是一款常用于电源管理和开关电路的N沟道MOSFET。它具有低导通电阻和高电流处理能力,适用于各种高效电源应用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 直流-直流转换器(DC-DC Converters):在DC-DC转换器中,FDD10AN06AO可以作为主开关元件,实现高效能量转换。这种应用广泛用于笔记本电脑、移动设备和其他需要电压转换的电子设备中。

    2. 电机驱动:FDD10AN06AO在电机控制应用中也非常受欢迎,尤其是无刷直流电机(BLDC)和步进电机。它能够快速响应控制信号,实现精确的电机转速和位置控制。

    3. 电池管理系统(BMS):在电动汽车和储能系统中,FDD10AN06AO被用于电池保护电路和充放电管理。这种应用确保了电池的安全性和延长了电池寿命。

    4. 照明控制:FDD10AN06AO还常用于LED照明系统中,作为开关元件,它可以有效控制LED的亮度和功率,提供高效的照明解决方案。

    5. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,FDD10AN06AO被用于高效的功率转换和电池管理,确保在停电时提供可靠的电力支持。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FDD10AN06AO的导通电阻仅为8.5毫欧(VGS=10V时),这使得它在工作时的功耗非常低,有助于提高系统的整体效率。

    - 高电流处理能力:FDD10AN06AO最大可连续漏极电流为76A(@25℃),这一特点使它能够在大电流应用中表现出色,如电机驱动和电源管理。

    - 低栅极电荷(Qg):FDD10AN06AO的总栅极电荷为88nC,这意味着它可以快速开关,减少了开关损耗,适合高频应用。

    - 耐高压:FDD10AN06AO的漏源电压(VDSS)为60V,确保了它在许多高压应用中能够安全运行,不容易被瞬态电压损坏。

    - 封装形式:FDD10AN06AO采用的是标准的TO-252封装,这种封装形式具有良好的散热性能,方便在各种电路板中安装和使用。

    通过对FDD10AN06AO应用场景和参数特点的详细分析,可以看出这款MOSFET在多个领域都具有重要的应用价值和技术优势。无论是在电源管理、照明控制,还是电机驱动等方面,FDD10AN06AO都能够提供高效、可靠的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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