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场效应MOS管FDB20AN06A0参数

PD最大耗散功率:90WID最大漏源电流:45AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.02ΩVRDS(ON)ld通态电流:45AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDB20AN06A0是一款常用于各种电子设备和系统的功率MOSFET(场效应管),其广泛的应用场景包括但不限于以下几个方面。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在电源管理系统中,FDB20AN06A0可以用来提高转换效率,减少能量损失,特别是在开关电源(SMPS)和直流-直流(DC-DC)转换器中发挥重要作用。

    2. 电机驱动:该型号的MOSFET也广泛应用于电机驱动电路中,帮助控制电机的速度和转矩。在电动工具、电动汽车以及工业自动化设备中,FDB20AN06A0能够提供高效、稳定的电流控制。

    3. 太阳能逆变器:在可再生能源系统中,特别是太阳能逆变器中,FDB20AN06A0被用于转换和调节从太阳能电池板获取的电能,提高系统整体效率。

    4. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,FDB20AN06A0能够确保电源在转换过程中保持稳定,避免因电力中断导致的设备损坏或数据丢失。

    5. 消费电子产品:在许多消费电子产品如笔记本电脑、智能手机和智能家居设备中,FDB20AN06A0用来优化电路设计,提高设备性能和能效。

    二、参数特点:

    - 最大漏源电压(Vds):FDB20AN06A0的最大漏源电压为60V,这意味着它能够承受较高的电压,适用于需要高电压操作的应用场景。

    - 最大漏极电流(Id):该型号的最大漏极电流为20A,表明其能够处理较大的电流,适合大功率设备的使用需求。

    - 栅极电荷(Qg):FDB20AN06A0的栅极电荷为47nC,较低的栅极电荷使其在开关时具有更高的效率,减少开关损耗。

    - 导通电阻(Rds(on):该MOSFET的导通电阻为0.006Ω,这意味着在导通状态下,其电阻非常低,有助于降低功耗和提高效率。

    - 封装类型:FDB20AN06A0采用TO-252封装,这种封装形式具有良好的散热性能和机械强度,适合在各种严苛的环境中使用。

    综上所述,FDB20AN06A0因其高效的电流控制能力和出色的电气性能,成为众多电子设备和系统中的理想选择。其广泛的应用场景和优越的参数特点,使其在电源管理、电机驱动、可再生能源系统、UPS以及消费电子产品中表现出色。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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