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场效应MOS管FDB13AN06A0参数

PD最大耗散功率:115WID最大漏源电流:62AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.0135ΩVRDS(ON)ld通态电流:62AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDB13AN06A0是一款应用广泛的功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。这款器件由Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor的一部分)生产,具有优异的性能和可靠的特性。本文将详细介绍FDB13AN06A0的应用场景及其参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在电源管理系统中,FDB13AN06A0被广泛用于DC-DC转换器、AC-DC转换器等。这是因为它具有低导通电阻和高效率的特点,能够显著减少电能损耗,提高系统的整体效率。

    2. 汽车电子:汽车电子系统需要高度可靠和耐用的元器件,FDB13AN06A0正是符合这些需求的理想选择。它在电动汽车、电池管理系统、车载充电器等应用中表现出色,能够提供稳定的电流和电压控制。

    3. 工业控制:在工业自动化和控制领域,FDB13AN06A0被用于各种驱动电路、功率控制模块等。它的高耐压特性和快速开关速度,使其在严苛的工业环境中仍能保持良好的性能。

    4. 消费电子:在消费电子产品中,如笔记本电脑、平板电脑和智能手机等,FDB13AN06A0被用于电源管理和电池保护电路,确保设备的安全性和稳定性。

    5. 可再生能源:在太阳能和风能发电系统中,FDB13AN06A0被用于逆变器和其他功率转换设备,帮助提高能源转换效率和系统的可靠性。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FDB13AN06A0的典型导通电阻为13毫欧姆,这意味着在开关状态下,它能够提供低损耗的电流传输,从而提高系统效率。这一点在高功率应用中尤为重要。

    - 高电流处理能力:该器件的最大连续漏极电流为90安培,脉冲电流可以达到360安培。这使得FDB13AN06A0能够处理大电流应用,适用于需要高电流负载的场合。

    - 耐高压能力:FDB13AN06A0的最大漏源电压为60伏特,能够在较高电压环境下工作,这使其在多种电源和驱动电路中都能应用自如。

    - 快速开关速度:它具有低栅极电荷和快速的开关速度,能够在高速开关应用中表现出色。这有助于减少开关损耗,提高电路的整体效率。

    - 热性能优异:FDB13AN06A0具有良好的热性能,能够在高温环境下稳定工作。其结温最大可达到175摄氏度,这意味着在高功率和高温操作中也能保持可靠性。

    综上所述,FDB13AN06A0以其优异的性能和广泛的应用场景,成为许多电力电子工程师的首选器件。其低导通电阻、高电流处理能力、耐高压、快速开关速度以及良好的热性能,使其在各种复杂和严苛的环境中都能发挥重要作用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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