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场效应MOS管FDB045AN08A0参数

PD最大耗散功率:310WID最大漏源电流:80AV(BR)DSS漏源击穿电压:75VRDS(ON)Ω内阻:0.0045ΩVRDS(ON)ld通态电流:80AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDB045AN08A0是一款高效能的功率MOSFET器件,广泛应用于各种电子设备和电源管理系统。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源(SMPS)中,FDB045AN08A0常用于功率转换器的主开关。它的低导通电阻和高效能开关特性,使其能够在高频操作中保持低功耗和高效率,从而提高整个电源系统的性能。

    2. 电机驱动:FDB045AN08A0也适用于电机驱动应用,特别是在直流电机和步进电机控制中。它能够提供快速响应和高效能,确保电机运行的平稳和高效。

    3. 光伏逆变器:在光伏逆变器中,FDB045AN08A0用作直流到交流电转换的关键元件。它的高效能和耐高压特性,帮助提高逆变器的整体效率和可靠性。

    4. 电池管理系统:对于电动汽车和储能系统中的电池管理,FDB045AN08A0提供了低损耗和高可靠性的解决方案。它有助于实现高效的电池充放电控制,延长电池寿命。

    5. 通信设备:在通信设备的功率放大器和稳压器中,FDB045AN08A0的低噪声和高效能特性,确保了信号的稳定传输和设备的可靠运行。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(Rds(on)):FDB045AN08A0具有非常低的导通电阻,这意味着在开关状态下电流通过时的能量损失非常小。这有助于降低功耗,提高效率。

    - 击穿电压(Vdss):该器件的击穿电压高达80V,使其能够在较高电压环境下安全运行,适用于高压应用。

    - 漏极电流(Id):FDB045AN08A0的最大漏极电流为45A,这使其能够处理大电流应用,满足高功率需求。

    - 开关速度:它具有快速的开关速度,有助于在高频操作中减少开关损耗,提高整体电路的响应速度和效率。

    - 热阻(RθJC):FDB045AN08A0的热阻特性优异,能够有效地散热,确保器件在高功率操作中的稳定性和可靠性。

    综上所述,FDB045AN08A0凭借其优异的参数和多样化的应用场景,成为电子设备和电源管理系统中不可或缺的关键元件。其低导通电阻、高击穿电压、大漏极电流、快速开关速度和优异的热阻特性,使其在实际应用中表现出色。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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