PD最大耗散功率:205WID最大漏源电流:16.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.38ΩVRDS(ON)ld通态电流:8.3AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
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一、应用场景:
1. 电源管理系统:在开关电源、DC-DC转换器和不间断电源(UPS)等电源管理系统中,FDA16N50LDTU由于其高效能和低导通电阻,能够有效减少能量损耗,提高系统的整体效率。
2. 电机控制:在电机驱动和控制系统中,FDA16N50LDTU能够提供高速开关性能和高电流处理能力,适用于需要精确控制和高效率的电机应用,例如电动汽车、工业机器人等。
3. 照明系统:在LED驱动器和其他智能照明系统中,FDA16N50LDTU的高效能特点使其能够在提供稳定输出的同时,保持较低的能耗,延长系统的使用寿命。
4. 逆变器和转换器:在光伏逆变器、风力发电逆变器和其他能源转换设备中,FDA16N50LDTU凭借其优异的电气性能,能够在高频操作下仍然保持高效能,确保能源转换的稳定性和可靠性。
5. 家用电器:在现代家用电器如洗衣机、空调和微波炉等设备中,FDA16N50LDTU可以提供高效的功率转换和控制,提升家用电器的性能和能源利用率。
二、参数特点:
- 电压和电流规格:FDA16N50LDTU的漏源电压(Vdss)为500V,能够承受较高的电压输入,同时最大漏极电流(Id)为16A,适用于高电流需求的应用。
- 导通电阻:FDA16N50LDTU的典型导通电阻(Rds(on))仅为0.40Ω,这使其在导通状态下的功率损耗非常低,提升了整体的电路效率。
- 开关速度:FDA16N50LDTU具有快速的开关速度,其总栅极电荷(Qg)为85nC,这意味着其能够在高频操作下提供稳定的性能,非常适合需要快速开关的应用场景。
- 热性能:FDA16N50LDTU的结温(Tj)范围为-55°C到150°C,能够在较宽的温度范围内稳定工作,并且具有良好的热管理性能,有助于延长器件的使用寿命。
- 封装类型:FDA16N50LDTU采用TO-220封装,这种封装方式不仅能够提供良好的散热性能,同时也方便集成到各种电力电子设备中,具有较高的安装和使用灵活性。
通过以上详尽的描述,FDA16N50LDTU作为一款高性能的N沟道功率MOSFET,其在电源管理、电机控制、照明系统、逆变器和家用电器等领域展现出卓越的性能和可靠性,成为各种高效能电力电子设备的理想选择。
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