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场效应MOS管AP9971GH-HF参数

PD最大耗散功率:34.7WID最大漏源电流:22AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.036ΩVRDS(ON)ld通态电流:18AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    AP9971GH-HF是一种性能优异的功率MOSFET,广泛应用于各类电子设备中。其应用场景和参数特点如下所述。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(Switching Power Supply):AP9971GH-HF常用于开关电源电路中,因其低导通电阻和高电流处理能力,可以提高电源的效率和可靠性。

    2. DC-DC转换器(DC-DC Converter):在DC-DC转换器中,AP9971GH-HF可用作主开关元件,帮助实现高效率的电能转换,适用于各种便携设备和工业控制应用。

    3. 电机驱动(Motor Drive):AP9971GH-HF还可应用于电机驱动电路,特别是在需要快速响应和高效能的场景,如电动工具和电动汽车中。

    4. 太阳能逆变器(Solar Inverter):在太阳能逆变器系统中,AP9971GH-HF由于其高效率和耐高压特性,被用于提升系统的整体性能和能量转换效率。

    5. 不间断电源(UPS):AP9971GH-HF适用于UPS系统,帮助在电源切换时提供稳定的电力输出,提高系统的可靠性和使用寿命。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):AP9971GH-HF的低导通电阻使其在导通时能量损耗较低,从而提高整个电路的效率。例如,其典型值仅为0.012Ω。

    - 高击穿电压(BVdss):该器件具有60V的高击穿电压,这使得AP9971GH-HF能够在高电压环境下稳定工作,防止电压尖峰对电路的损害。

    - 高电流处理能力(ID):AP9971GH-HF的连续漏极电流可达50A,能够处理大电流负载,适用于高功率应用场景。

    - 快速开关速度:AP9971GH-HF具有快速开关特性,使其在高频应用中表现出色,降低开关损耗,提升电路效率。

    - 热性能优越:AP9971GH-HF的热阻(Rth)较低,具有良好的散热性能,确保在高功率密度应用中也能长时间稳定运行。

    综上所述,AP9971GH-HF凭借其低导通电阻、高击穿电压、高电流处理能力、快速开关速度和优越的热性能,被广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、太阳能逆变器和不间断电源等场景中。其优异的参数特点使其成为各类高效能电源管理系统的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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