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场效应MOS管AP9965GEH-HF参数

PD最大耗散功率:31.25WID最大漏源电流:27AV(BR)DSS漏源击穿电压:40VRDS(ON)Ω内阻:0.028ΩVRDS(ON)ld通态电流:18AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:0.8~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    AP9965GEH-HF是一种高性能的功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),主要应用在需要高效率和高功率密度的电源管理系统中。本文将详细介绍AP9965GEH-HF的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:AP9965GEH-HF广泛用于DC-DC转换器和AC-DC电源模块中。这些系统需要高效的功率转换和低损耗,AP9965GEH-HF的低导通电阻和快速开关速度使其成为理想选择。

    2. 电动汽车充电器:在电动汽车充电器中,AP9965GEH-HF能够处理高电流和高电压的转换过程,确保充电效率和安全性。其高效能特性减少了充电时间并提高了能源利用率。

    3. 光伏逆变器:光伏逆变器需要在高功率密度下工作,AP9965GEH-HF可以提供高效的电能转换,支持太阳能电池板输出电能的稳定转换,提高整体系统效率。

    4. 电池管理系统(BMS):在电池管理系统中,AP9965GEH-HF用于电池保护电路和充放电控制,确保电池的安全和延长使用寿命。

    5. 消费电子:如笔记本电脑、智能手机等便携式设备的电源管理单元(PMU)也使用AP9965GEH-HF,其小封装和高效能使其在这些紧凑空间内的应用中表现出色。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):AP9965GEH-HF的导通电阻非常低,这意味着在工作时能量损耗小,效率高。例如,在典型情况下,其导通电阻仅为几毫欧姆,这对于需要高效率的电源管理系统来说是非常关键的。

    - 高击穿电压:AP9965GEH-HF具有高击穿电压特性,通常可以达到30V或更高。这使其能够在高电压环境中稳定工作,适应各种高压应用场景。

    - 快速开关速度:AP9965GEH-HF的快速开关速度使其在高频操作中表现优异,减少了开关损耗,提高了整体系统的工作效率。其典型开关时间在纳秒级别,适用于高频率的电源转换。

    - 高功率密度封装:AP9965GEH-HF采用了先进的封装技术,使其在小体积内实现高功率密度。这对现代电子设备的微型化和高性能需求非常重要。

    - 高可靠性:AP9965GEH-HF具有高可靠性,能够在严苛的环境条件下长期稳定工作。其耐热性和耐冲击性能使其适用于工业和汽车电子等高要求的应用领域。

    综上所述,AP9965GEH-HF凭借其卓越的性能参数和广泛的应用场景,在电源管理和转换领域展现出强大的竞争力,是现代高效能电子系统中的关键组件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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